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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。

2018-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC GaN 5672 0

羅姆參展“2018第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)”帶來SiC功率元器件為中心的電源解決方案

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）于2018年9月19日-23日在國(guó)家會(huì)展中心（上海）舉行的第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)上首次亮相。在為期5天的展會(huì)上，...

2018-09-21 標(biāo)簽：SiC 羅姆功率元器件 5653 0

8英寸襯底+全SiC模塊，羅姆助力SiC普及浪潮

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）2024年踏入最后一個(gè)季度，回顧過去一年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，SiC依然是各大廠商最關(guān)注的領(lǐng)域。自2022年開始，市場(chǎng)上搭載S...

2024-10-24 標(biāo)簽：SiC 羅姆 SiC模塊 5633 0

IGBT應(yīng)用：整流器

IGBT整流器是用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的關(guān)鍵設(shè)備，它們通過精確控制IGBT的導(dǎo)通時(shí)間來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出的調(diào)節(jié)，確保提供高質(zhì)量、穩(wěn)定的直流電供電。在某些情況下...

2023-11-10 標(biāo)簽：整流器 IGBT SiC 5617 0

228億！ST持續(xù)投資中國(guó)，與三安光電合資建SiC晶圓廠，加速國(guó)產(chǎn)8寸襯底落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）6月7日晚間，三安光電與意法半導(dǎo)體（ST）宣布，雙方已簽署協(xié)議在重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠。與此同時(shí)，為配...

2023-06-09 標(biāo)簽：SiC 5614 0

首次量產(chǎn)至今8年時(shí)間，溝槽柵SiC MOSFET的發(fā)展現(xiàn)狀如何？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC MOSFET的發(fā)展歷史其實(shí)相當(dāng)長(zhǎng)遠(yuǎn)，全球SiC產(chǎn)業(yè)龍頭Wolfspeed的前身Cree公司，其創(chuàng)始人之一John ...

2023-03-18 標(biāo)簽：SiC 5576 0

關(guān)于英飛凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力

雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級(jí)IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時(shí)間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOS...

2021-01-26 標(biāo)簽：芯片電路 IGBT 5501 0

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 5493 0

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心自2017年6月啟動(dòng)建設(shè)。啟迪新材料集團(tuán)和蕪湖市建設(shè)投資有限公司通力合作，在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會(huì)以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)...

2020-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN器件 5475 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì) 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

引言：隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時(shí)代對(duì)高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅（SiC）...

2024-03-21 標(biāo)簽：功率器件 SiC 氮化鎵 5445 0

本土IDM廠商SiC MOSFET新進(jìn)展，將應(yīng)用于車載電驅(qū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）2024年已過半，可以發(fā)現(xiàn)800V平臺(tái)電動(dòng)汽車在近半年時(shí)間里降本效應(yīng)明顯，最低價(jià)的800V平臺(tái)車型極狐阿爾法T5和小鵬G6...

2024-06-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC IDM 5439 0

滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，...

2019-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET SiC 5433 0

我國(guó)成功研制4米口徑高碳化硅反射鏡，是世界最大口徑的碳化硅反射鏡

日前從中國(guó)科學(xué)院獲悉，由中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所承擔(dān)的國(guó)家重大科研裝備研制項(xiàng)目“4米量級(jí)高精度SiC非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”通過項(xiàng)目驗(yàn)收。

2018-08-27 標(biāo)簽：sic 望遠(yuǎn)鏡反射鏡 5406 0

GaN和SiC能促電動(dòng)汽車電池降本？一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止，電動(dòng)汽車電池的價(jià)格昂貴，體積大且效率低。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是汽車電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)，它們也許可以改變這一切。較新的化...

2020-01-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC GaN 5396 0

深入解讀?國(guó)產(chǎn)高壓SiC MOSFET及競(jìng)品分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFe...

2021-09-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 功率器件 5393 0

Si+SiC+GaN混合方案，解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）AI浪潮下對(duì)數(shù)據(jù)中心的需求量激增，而功耗越來越高的AI算力芯片，需要數(shù)據(jù)中心PSU（電源供應(yīng)單元）提供更高的功率，同時(shí)...

2024-07-05 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 SiC GaN 5352 0

SiC上車加速，迎逆變器“高光時(shí)刻”！四大國(guó)際巨頭新品揭秘

近日，國(guó)際調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Group發(fā)布報(bào)告顯示，SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)是電動(dòng)汽車市場(chǎng)。Yole分析師表示，SiC 已逐漸在電動(dòng)車主驅(qū)逆變器中扮演主要角...

2024-09-05 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 5312 0

把SiC價(jià)格打下來！兩年內(nèi)擬降30%，市場(chǎng)加速滲透

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）作為第三代半導(dǎo)體，SiC（碳化硅）相比傳統(tǒng)硅在高耐壓厚度、功率損耗、系統(tǒng)效率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。依靠這些優(yōu)勢(shì)，SiC在新能...

2024-08-03 標(biāo)簽：SiC 5268 0

從工業(yè)到汽車，東芝在功率器件市場(chǎng)的布局

近幾年來，新能源汽車發(fā)展迅猛，與之配套的汽車功率器件也發(fā)展迅速，不少?gòu)S商開始針對(duì)汽車應(yīng)用開發(fā)新的產(chǎn)品。比如說SiC就是一個(gè)典型，自從特斯拉在Model ...

2021-10-11 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 5239 0

UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。

2022-06-06 標(biāo)簽：充電器軟開關(guān)SiC 5229 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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