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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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近日,志橙股份發布了更新版的IPO招股書,并對過往三輪問詢的回復內容進行了修訂。該公司計劃籌集8億元資金,募集資金用于SiC材料研發制造總部項目,SiC...
全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現電力電子產業升級和自主可控!
BASiC?基半股份一級代理商全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現電力電子產業升級和自主可控! 為什么在儲能變流器PCS應...
8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...
2022-03-07 標簽:SiC 660 0
今天的開關選擇多種多樣,IGBT因低導電損耗而受到極大功率應用的青睞,MOSFET則憑借能盡量減小相關組件(尤其是磁性元件)體積和成本的快速開關能力占領...
碳化硅是一種高性能的半導體材料。KeepTops的SiC肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可在電力電子技術領域突破硅的極限,成為新能...
來源:羅姆半導體社區? 包括服務器電源、不間斷電源(UPS)和電機驅動器在內的工業應用消耗了世界上很大一部分電力。因此,工業電源效率的任何提高都將大大降...
AMEYA360| 羅姆開發出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,開發出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE p...
IPAC碳化硅直播季丨如何設計2000V CoolSiC?驅動評估板
英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個應用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IP...
近日,為期三天的2024年慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心盛大啟幕,這場匯聚全球電子行業精英的盛宴,再次點燃了...
羅姆半導體推動SiC MOSFET技術進步,與吉利汽車展開深度合作
近日,羅姆半導體(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功應用于吉利電動車品牌極氪的三款車型中,標志著雙方合作進入了一個新的發展階段。這項合作不僅展...
近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示...
喜報 | 芯森電子榮獲2024年珠海市“科創杯”創新創業大賽優勝獎
近日,珠海芯森電子科技有限公司在第十三屆中國創新創業大賽(廣東·珠海賽區)暨2024年珠海市“科創杯”創新創業大賽中榮獲優勝獎。此次大賽匯聚了眾多創新企...
新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊
新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSF...
致力于打造成中國具影響力的系統設計盛會,2025國際集成電路展覽會暨研討會(International IC & Component Exhib...
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