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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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效率直逼99%!國(guó)產(chǎn)SiC讓儲(chǔ)能系統(tǒng)回本周期縮短2年
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)當(dāng)前,SiC芯片已經(jīng)在儲(chǔ)能系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用,并且發(fā)展呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的趨勢(shì),其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)潛力逐漸顯現(xiàn)。 ? SiC材...
2025-05-12 標(biāo)簽:SiC儲(chǔ)能系統(tǒng) 5194 0
揚(yáng)杰科技SiC車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開(kāi)工
2025 年5月9日上午,中共揚(yáng)州市委副書(shū)記、秘書(shū)長(zhǎng)焦慶標(biāo),邗江區(qū)委書(shū)記張新鋼,揚(yáng)州市財(cái)政局局長(zhǎng)楊蓉、副局長(zhǎng)徐軍,揚(yáng)州市邗江區(qū)副區(qū)長(zhǎng)陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚(yáng)杰...
2025-05-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 1424 0
英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹(shù)立新標(biāo)準(zhǔn),加速電動(dòng)汽車(chē)普及與工業(yè)效率提升
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)作為碳化硅(SiC)功率器件及SiCMOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,始終以卓越性能與...
2025-05-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌SiC 496 0
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開(kāi)關(guān)損耗
在功率器件的世界里,開(kāi)關(guān)損耗是一個(gè)繞不開(kāi)的關(guān)鍵話題。
宏微科技2025年第一季度財(cái)報(bào)要點(diǎn)
宏微科技(688711)今日披露2025年一季報(bào)顯示,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.97億元,同比增長(zhǎng)20.70%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)108.37萬(wàn)元,成功扭虧。
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動(dòng)汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)...
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場(chǎng)耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進(jìn)行...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進(jìn)展,但面對(duì)英飛凌等國(guó)際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢(shì),仍需從多個(gè)維...
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單...
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech...
電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊
珠聯(lián)璧合,SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來(lái) 珠聯(lián)璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor Si...
基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案
基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳...
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的優(yōu)勢(shì)
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的優(yōu)勢(shì) 三相四橋臂拓?fù)浣Y(jié)合碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS),在新能源和電力電子領(lǐng)...
SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢(shì)
E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢(shì) 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(...
歐洲停電事件加速了高比例可再生能源電網(wǎng)對(duì)儲(chǔ)能技術(shù)的需求升級(jí)
歐洲2025年4月的大規(guī)模停電事件暴露了高比例可再生能源電網(wǎng)的脆弱性,尤其是西班牙、葡萄牙等國(guó)家因風(fēng)光發(fā)電的間歇性和儲(chǔ)能設(shè)施不足導(dǎo)致電網(wǎng)崩潰。這一事件對(duì)...
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動(dòng)板不僅是SiC MOSFET的“智...
破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬
破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...
?固態(tài)電容快速充放電特性在車(chē)載無(wú)線充電樁中的應(yīng)用案例突破路徑
隨著新能源車(chē)對(duì)高功率無(wú)線充電(如11kW~22kW)需求的增長(zhǎng),充電樁需在高溫、高頻場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)快速充放電與低損耗。平尚科技基于車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)導(dǎo)電高...
碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中,米勒鉗位功能至關(guān)重要,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)洹⒐夥?..
芯聯(lián)集成2024年?duì)I收65.09億元:SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)跑亞洲
近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績(jī)公告。數(shù)據(jù)顯示,公司全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入65.09億元,其中主營(yíng)業(yè)務(wù)收入62.76億元,同比增長(zhǎng)27.8%...
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