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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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派恩杰半導體榮獲“中國SiC器件Fabless十強企業”稱號
12月14日,第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉,派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業”稱號。
綜合中汽協與EVvolumes.com的數據,新能源汽車行業展現出強勁的增長動力。我國在2021年、2022年和2023年的新能源汽車銷量分別達到了3...
近日,北京青禾晶元半導體科技有限責任公司(以下簡稱“青禾晶元”)宣布成功完成新一輪融資,融資總額超過3億元人民幣。此輪融資由深創投、遠致星火、芯朋微等知...
3月4日,北京順義消息顯示,順義區21個在建市區重點產業項目全部復工復產,其中包括泰科天潤建設公司總部、研發中心及8英寸SiC功率器件生產基地項目。
6.3.5.1 界面態分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、...
2022-01-12 標簽:SiC 1437 0
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久,往往會在驅動電壓測量上遇到問題,即測得的驅動電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導致搞不清楚是器件...
安世半導體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)
半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡稱“瞻芯電子”)宣布完成數億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團戰略直投基金、尚頎資本(上汽集團旗下私募股權投資平臺)...
第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設備需求,供應鏈與服務本地化成關鍵考量
業界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學式真空鍍膜(CVD)等,其中ALD屬于CVD的一種,屬于當下最先進的薄膜...
長光辰芯發布8K APS-C畫幅背照式堆棧CMOS圖像傳感器新品,CMOS圖像傳感器價格競爭加劇
? 傳感新品 【中山大學:研發可拉伸自供電傳感器,可檢測痕量生物標志物!】 及時和遠程的生物標志物檢測在個性化醫療和健康保護中是非常需要的,但在迄今為止...
新能源汽車行業近年來發展迅速,已成為全球最耀眼的產業之一。據預測,2023年中國新能源汽車銷量將達到950萬輛,市場占比高達31.6%。到2024年,年...
得益于云、AI 人工智能、分布式存儲、5G等行業的快速發展,對于服務器電源和算力電源的需求大幅增長。
近日,證監會公開了芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司(以下簡稱“芯三代”)的首次公開發行股票并上市輔導備案報告,標志著這家專注于第三代半導體SiC-C...
德州儀器 (TI) 宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG設備顯示出以下優點:1.寬帶隙半導體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
芯塔電子推出新一代SiC MOSFET,性能達到國際一流水平
?近日,國內第三代半導體新銳企業芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET,器件各項性能達到國際領先水平。此舉標志著芯塔...
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