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      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2843個 瀏覽：65405次 帖子：124個

      sic資訊

      利用數(shù)值模擬軟件構建了兩種6英寸SiC單晶生長模型

      碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場強度高、熱導率高等特性，其品質因子優(yōu)異，在高溫、高頻、大功率及抗輻射領域獲得了廣泛應用。

      2022-06-24 標簽：半導體材料SiCGaN 1422 0

      6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

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      6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化...

      2022-01-04 標簽：SiC 1420 0

      第三代半導體功率器件在汽車上的應用

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      目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應用，在電驅的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差...

      2023-02-01 標簽：半導體功率器件SiC 1417 0

      SiC電子器件提升效率降低裝置損耗，預計2024年將超19億美元

      今日啟迪股份技術總監(jiān)鈕應喜博士發(fā)表了題為“碳化硅晶體生長、加工技術和裝備”的主題演講。

      2020-12-04 標簽：新能源汽車sic 1413 0

      所有應用都需要更多含量的的功率半導體

      隨著世界中產階級的增加以及汽車、暖通空調(HVAC)和工業(yè)驅動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整...

      2021-05-24 標簽：逆變器功率器件SiC 1408 0

      至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

      深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領先的SiC芯片...

      2024-01-16 標簽：芯片半導體SiC 1399 0

      索尼銀行投資三菱機電，擴大SiC產能

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      三菱電機株式會社是一家成立于1921年的通用電子制造商，致力于“半導體于器件”業(yè)務領域發(fā)展。三菱根據(jù)國際資本市場協(xié)會 (ICMA)實施的“綠色債券原則2...

      2024-01-29 標簽：三菱電機功率器件SiC 1397 0

      國內新增6個SiC項目動態(tài)：芯片、模塊、封裝等

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      2月26日，據(jù)鹽城市建湖縣人民政府網(wǎng)信息，芯干線投資建設的第三代半導體芯片設計及智能功率模塊封測項目，將抓緊做好設備訂購調試，盡快實現(xiàn)規(guī)模量產。

      2024-02-28 標簽：SiC半導體芯片功率芯片 1396 0

      當.XT技術遇上SiC單管

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      英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產品，導通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率...

      2022-05-10 標簽：SiC 1393 0

      6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

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      6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...

      2022-01-25 標簽：SiC 1393 0

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      50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展

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      據(jù)2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM展）主辦方公布的信息，第三代半導體設計和方案商派恩杰半導體已確定參展，展位號E43。

      2021-08-25 標簽：SiC電力元件車載充電機 1390 0

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      2024-02-19 標簽：焊接SiC 1389 0

      采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

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      相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高...

      2023-07-06 標簽：柵極SiC功率密度 1387 0

      利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設計實用性

      Other Parts Discussed in Post: TMS320F280025, TMS320F28379D 與碳化硅 (SiC)FET 和...

      2022-01-12 標簽：嵌入式處理SiC碳化硅 1384 0

      碳化硅半導體與行業(yè)的未來！

      雖然SiC在電子應用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關注。正是在這一點上，它首次用于肖特基二極管...

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      河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐！

      平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優(yōu)勢。

      2024-02-21 標簽：半導體SiC碳化硅 1376 0

      SiC晶片加工技術：探索未來電子工業(yè)的新篇章

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      近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4...

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      英飛凌推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管

      　2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產品陣容。

      2012-10-10 標簽：英飛凌SIC肖特基勢壘二極管 1371 0

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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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      你是誰啊z efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫皮西瓜 角里先生同學

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