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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
6.1.3 p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅...
2022-01-06 標簽:SiC 1315 0
硅晶圓正在從8英寸過渡到12英寸,更大的晶圓尺寸,意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數量更多,晶圓邊緣的浪費減少,單芯片成本降低。第三代半導體也不例外,都在...
凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS
2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異,開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18...
6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiC MOSFET)
新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅動IC1...
2024年1月8日--領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊...
CDIL 的第一批生產批次用于出口,因為當時印度的潛在客戶對印度是否有人可以生產硅持懷疑態度。CDIL 總裁兼董事總經理 Inderdeep 表示:“但...
第一代半導體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料,而第二代和第三代半導體材料主要是化合物半導體(Compound Semiconductor)材料,其中...
增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題,英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMO...
6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅...
2022-01-06 標簽:SiC 1293 0
日本公司正積極投入大規模生產氮化鎵(GaN)功率半導體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅(SiC)在電動汽車功率半導體器件的應用上競爭...
ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
ROHM針對這些挑戰,于2019年開始開發內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC,并一直致力于開發出能夠更大程度地發揮SiC...
中國新能源汽車驅動SiC功率器件市場迅猛發展,國產廠商迎頭趕上
近年來,中國新能源汽車市場呈現出爆發式增長態勢。據中汽協數據,2023年中國新能源汽車銷量高達949.5萬輛,同比增長37.9%,市場占有率攀升至31....
800V高壓平臺加速落地,2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高壓快充平臺為解決里程焦慮的破局者,國內外車企從2021年起掀起一...
碳化硅功率半導體的高國產化程度是中國制造2025戰略的典型成果,通過 政策引導、產業鏈整合、技術創新與市場需求共振 ,實現了從“進口替代”到“全球競爭”...
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