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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而,它們在材料...
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(M...
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...
碳化硅(SiC)技術比傳統硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術更具優勢,包括更高的開關頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...
寬帶隙半導體使許多以前使用硅(Si)無法實現的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個指標上具有明顯的優勢。
在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應用的快速入門開始。
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是Ga...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產業(包括太陽的,燙的和風力)、EV/HEV動力系統,以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
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