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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅器件在光伏逆變器中的應用

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設備，主要作用是將太陽電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...

2023-11-06 標簽：光伏發(fā)電 SiC 光伏逆變器 1812 0

SiC半導體的熱穩(wěn)定性

在這項研究中，我們將解釋在一定溫度范圍內(nèi)對碳化硅樣品進行的本征電導率測量

2022-07-29 標簽：半導體 SiC 1810 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標簽：半導體晶體 SiC 1799 0

如何確保SiC驗證測試準確度？

SiC正在應用于功率更高、電壓更高的設計中，如電動汽車(EV)電機驅(qū)動器、電動汽車快速充電樁、車載及非車載充電器、風能及太陽能逆變器及工控電源。

2023-03-27 標簽：傳感器測試示波器 1798 0

嵌入式PCB封裝

不同的熱膨脹系數(shù) （CTE）會產(chǎn)生應力并導致故障。嵌入到 AlN（周圍有銅層）等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配，同時還可以創(chuàng)建所需的隔...

2024-05-03 標簽：嵌入式逆變器 SiC 1790 0

三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...

2024-12-04 標簽：芯片 MOSFET 三菱電機 1785 0

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個...

2023-02-10 標簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導體 1780 0

有趣的材料—無處不在的碳化硅

電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊，在熱導率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...

2023-03-24 標簽：電子器件 SiC 碳化硅 1777 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導體晶圓 SiC 1777 0

SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負的溫度系數(shù)。

2023-09-13 標簽：MOS管 IGBT PN結(jié) 1768 0

IGBT和SiC柵極驅(qū)動器基礎知識（一）

大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應用的文檔，雖然比較基礎，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學者，總體內(nèi)容如下。

2022-11-25 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1764 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1759 0

功率半導體的發(fā)展階段碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢

半導體（Semiconductor）是現(xiàn)代電子信息社會的物理基石，并已成為推動各種革命性變革和創(chuàng)新的強大驅(qū)動力，這點已是當前的社會共識。而功率器件正是半...

2023-10-31 標簽：半導體晶閘管功率器件 1750 0

利用SiC和GaN實現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

　最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請了安川電機，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 標簽：SiC GaN AC-AC轉(zhuǎn)換器 1747 0

碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？

碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。

2023-08-12 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1747 0

一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

2024-11-14 標簽：半導體晶體 SiC 1746 0

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案

柵極參數(shù)設計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關(guān)狀態(tài)，掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。

2024-04-29 標簽：MOSFET IGBT emc 1744 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 1741 0

混合器件的原理及應用

今天想抽出點時間來聊一下復合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚這個中文名字應該叫什么，文獻里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 標簽：MOSFET IGBT SiC 1738 0

Qorvo SiC FET在ZVS軟開關(guān)技術(shù)應用中的卓越表現(xiàn)

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開關(guān)...

2024-07-25 標簽：ZVS 軟開關(guān)SiC 1732 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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手機快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設備與設計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設計緊湊化、高壓設備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設計升壓電路。
納微半導體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設備，用戶使用移動設備掃描設備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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