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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導體領域地位關鍵，其切割加工精度和效率影響產業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準確性，進給參數(shù)控制切割過...
/引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨特之處？特別是在...
之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產品特點及導通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOS...
為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，M...
方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應用
隨著全球能源需求不斷上升，我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來光伏儲能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...
上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的...
安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動態(tài)特性
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系...
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關鍵材料之一。圖片來源：Pixa...
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系...
對碳化硅技術進行商業(yè)化應用時，需要持續(xù)關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導...
本文將介紹如何根據(jù)開關波形計算使用了SiC MOSFET的開關電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內對開關波形進行分割，并使...
亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動...
半導體器件作為現(xiàn)代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業(yè)設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...
碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
隨著電力電子技術向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝...
-回答星友xuu的提問，關于SiC功率器件在純電動卡車中的應用解析-文字原創(chuàng)，素材來源：各廠商，網絡-本篇為知識星球節(jié)選，完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布...
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題
在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...
ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅動器技術手冊
ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅動器，采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術，提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...
碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能...
SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項
通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...
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