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碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。
SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征
我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關、零反向恢復電流...
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反...
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準,無鹵且符合RoHS...
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