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隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。

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ram技術(shù)

如何對51單片機(jī)RAM不同的區(qū)域進(jìn)行劃分

51單片機(jī)的RAM分為兩個部分，一塊是片內(nèi)RAM，一塊是片外RAM。標(biāo)準(zhǔn)51的片內(nèi)RAM地址從0x00H～0x7F共128個字節(jié)，而現(xiàn)在我們用的51系列...

2019-12-17 標(biāo)簽：RAM 51單片機(jī) 2647 0

?單片機(jī)外部擴(kuò)展資源分類及解析（上）

隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，單片微型計算機(jī)（簡稱：單片機(jī)）也隨之大發(fā)展，各種新穎單片機(jī)層出不窮，廣泛應(yīng)用在人類生活的哥哥領(lǐng)域，成為當(dāng)今科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化必...

2023-05-18 標(biāo)簽：集成電路單片機(jī)ROM 2642 0

RTL時序邏輯的綜合要求

數(shù)字門級電路可分為兩大類：組合邏輯和時序邏輯。鎖存器是組合邏輯和時序邏輯的一個交叉點，在后面會作為單獨的主題處理。

2023-01-13 標(biāo)簽：RAM RTL 觸發(fā)器 2638 0

計算機(jī)最核心的——CPU

在CPU的四個結(jié)構(gòu)中，寄存器的重要性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其余三個，為什么這么說？因為程序通常是把寄存器作為對象來進(jìn)行描述的。而說到寄存器，就不得不說到匯編語言，說到...

2024-03-13 標(biāo)簽：寄存器 cpu RAM 2637 0

可編程邏輯在MCU中起哪些關(guān)鍵作用？

在過去幾十年里，微控制器的內(nèi)部外設(shè)發(fā)生了巨大的變化。最初許多微控制器只包含RAM、ROM，也許還有基本的定時器。

2023-02-27 標(biāo)簽：微控制器 mcu ROM 2636 0

STM32速成筆記(12)—Flash閃存

快閃存儲器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。它是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也...

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ram內(nèi)部存儲器電路組成

ram在計算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。

2024-02-19 標(biāo)簽：存儲器 cpu RAM 2620 0

Matter最新TestHarness工具使用介紹（一）

為了簡化Matter設(shè)備的測試和認(rèn)證過程，連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟開發(fā)了一套標(biāo)準(zhǔn)化的測試工具，即Matter TestHarness。

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詳談SDRAM內(nèi)存模組與差異對比

本文可以了解什么？DDR-DDR4內(nèi)存模塊的差異以及對比;邏輯BANK的概念與定義;芯片的位寬的解釋。

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SWM32S單片機(jī)的SDRAM和LCD控制器的用法

SWM32S單片機(jī)內(nèi)部集成了8MB的SDRAM以及LCD控制器，非常適合用于屏幕驅(qū)動。其中LCD控制器支持RGB565格式的接口，最大支持1024*76...

2022-09-26 標(biāo)簽：單片機(jī)控制器 SDRAM 2609 0

3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（2）

帶有異步寫/同步讀的SRAM，其中的同步讀取可以使用與分布式RAM相關(guān)聯(lián)的觸發(fā)器實現(xiàn)。

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一種在線修改Xilinx FPGA嵌入式RAM比特流的方法

今天給大家推薦今年FCCM2021上的一篇文章，介紹了一種可以在線Xilinx FPGA內(nèi)部RAM內(nèi)容的工作，重點是論文相關(guān)的工作還是開源的。

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Keil作為使用廣泛的一款嵌入式開發(fā)IDE，大多數(shù)的工程師只用到了編譯和仿真功能，其實只需要一些編程小技巧就可以通過Keil將代碼的一些配置可視化。

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關(guān)于RT-Thread的__bss_end - __bss_start的問題解析

編譯完成后，ELF解析的bss數(shù)值3372，并不等于bss_end - bss_start，而是等于bss_end - sstack。

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深入理解Armv9 DSU-110中的L3 cache

在共享DSU-110 DynamIQ cluster中，所有core共享L3緩存。

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基于IAR的Cortex-M/R內(nèi)核程序啟動流程

在系統(tǒng)啟動期間，進(jìn)入 main() 函數(shù)之前執(zhí)行初始化序列。初始化序列處理目標(biāo)硬件和 C/C++ 運行環(huán)境所需的初始化。

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FPGA原型平臺的性能估計與應(yīng)用過程的資源利用率以及FPGA性能參數(shù)密切相關(guān)，甚至FPGA的制程也是一個因素。

2023-04-04 標(biāo)簽：寄存器 RAM RTL 2528 0

RAM的字?jǐn)U展接法

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隨機(jī)存儲器的特點和結(jié)構(gòu)

隨機(jī)存儲器最顯著的特點是其易失性，即當(dāng)電源關(guān)閉時，存儲在RAM中的數(shù)據(jù)會立即丟失。這是因為RAM依賴于電流來維持其存儲的數(shù)據(jù)狀態(tài)。當(dāng)電源被切斷時，RAM...

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雙口RAM在PCI總線與AVR接口設(shè)計中的應(yīng)用

利用有限狀態(tài)機(jī)方法將PCI接口芯片局部端邏輯轉(zhuǎn)換為雙口RAM讀寫控制信號和地址數(shù)據(jù)信號，并通過仿真工具M(jìn)odelsim Se對接口電路進(jìn)行了驗證，得出的...

2011-11-06 標(biāo)簽：AVR 接口 RAM 2494 0

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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