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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”？

西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”。據(jù)路透、彭博報(bào)道，一位知情人士稱透露，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)重啟與鎧俠的并購(gòu)交易談判。

2023-01-10 標(biāo)簽：NAND 西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè) 651 0

NAND閃存市場(chǎng)回暖，CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出（CAPEX）將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億...

2018-07-14 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 649 0

三星加大投資明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子將對(duì)其中國(guó)芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升...

2019-12-13 標(biāo)簽：NAND 三星電子內(nèi)存 645 0

雖然DRAM及NAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但美光繼續(xù)看好

雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠商美光（Micron）昨日宣布調(diào)升20...

2018-07-06 標(biāo)簽：DRAM NAND 644 0

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 光刻膠 642 0

MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)：以零電路和低功耗同時(shí)執(zhí)行傳感和計(jì)算任務(wù)

提出了一種集成傳感和計(jì)算功能的MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以同時(shí)執(zhí)行加速度傳感和分類任務(wù)，這種一體化結(jié)構(gòu)以零電路和低功耗運(yùn)行。

2023-05-15 標(biāo)簽：NAND mems 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 642 0

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone...

2010-02-09 標(biāo)簽：NAND Intel 641 0

三星增產(chǎn)NAND,分析師預(yù)測(cè)明年內(nèi)存將供過(guò)于求

IHS Markit報(bào)告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2，441億GB。其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879...

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2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月...

2010-01-27 標(biāo)簽：NAND Flash 637 0

鎧俠擱置10月IPO計(jì)劃

日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開(kāi)募股（IPO）計(jì)劃暫時(shí)擱置。這一決定背后，是鎧俠在競(jìng)爭(zhēng)激烈的...

2024-09-25 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片鎧俠 636 0

iPhone8發(fā)布影響芯片供應(yīng),全球廠商庫(kù)存吃緊

據(jù)報(bào)道,備受關(guān)注的iPhone8將在今年后半年發(fā)布,這款十年紀(jì)念版手機(jī)帶給我們多大的驚喜我們還不知道，但是人們對(duì)它充滿了期待!同時(shí)，iPhone8的發(fā)布...

2018-07-09 標(biāo)簽：芯片 dram nand 636 0

4月下旬主流NAND Flash合約均價(jià)下跌2~9%

　　根據(jù) TrendForce 旗下研究部門 DRAMeXchange 調(diào)查顯示，由于 4月下旬中國(guó)勞動(dòng)節(jié)庫(kù)存回補(bǔ)需求不如預(yù)期，2012年第二季除少數(shù)平...

2012-05-08 標(biāo)簽：NAND Flash 634 0

IDC：2013年半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)3200億美元

7月31日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于智能手機(jī)與平板電腦需求依舊強(qiáng)勁，IDC調(diào)高今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收評(píng)估，并預(yù)期2014年將進(jìn)一步增長(zhǎng)。

2013-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 631 0

NOR Flash行業(yè)將迎來(lái)拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求

在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開(kāi)始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出，預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮，預(yù)計(jì)明年1月起先漲...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM NAND NOR flash 631 0

晶圓現(xiàn)貨市場(chǎng)的短期飆升有晶圓合約成功漲價(jià)10%

近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng)，NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce報(bào)告稱，這一增長(zhǎng)主要源于8月底 N...

2023-09-04 標(biāo)簽：NAND 晶圓 SSD 628 0

美光科技推出新款存儲(chǔ)解決方案

隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——美光955...

2024-11-18 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 628 0

Atonarp 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲(chǔ)器

3D NAND 工藝通過(guò)堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）...

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NAND閃存跌價(jià)結(jié)束一個(gè)月來(lái)的漲幅接近20%

閃存跌價(jià)已經(jīng)兩年了，但是現(xiàn)在好日子要結(jié)束了。自從6月份東芝、西數(shù)位于日本的NAND閃存工廠斷電停工一個(gè)月之后，閃存市場(chǎng)就一直有各種漲價(jià)的傳聞，聽(tīng)多了大家...

2019-12-31 標(biāo)簽：閃存 NAND 626 0

NAND芯片報(bào)價(jià)逐季上漲，盛景回歸

近半年來(lái)，NAND芯片的報(bào)價(jià)一路上漲，市場(chǎng)價(jià)格節(jié)節(jié)攀升，據(jù)市場(chǎng)傳聞，這一漲勢(shì)預(yù)計(jì)將在年底前持續(xù)，累計(jì)漲幅甚至有望高達(dá)六成，這對(duì)于存儲(chǔ)芯片廠商來(lái)說(shuō)，將是一...

2024-01-24 標(biāo)簽：芯片 NAND AI 621 0

終端客戶正在創(chuàng)造基于NAND的閃存驅(qū)動(dòng)器的顯著增長(zhǎng)

根據(jù)IndustryARC的一份新報(bào)告，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)在2018年達(dá)到了360億美元，他們表示，在2019年至2025年的預(yù)測(cè)期內(nèi)，市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以21％的復(fù)...

2019-11-22 標(biāo)簽：閃存 NAND 619 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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