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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

　　工業(yè)4.0背后的主要目標是將決策過程部分轉(zhuǎn)移到自主的信息物理設(shè)置。通過利用系統(tǒng)內(nèi)外生成的大量數(shù)據(jù)，這些設(shè)置能夠根據(jù)情況需求做出適當?shù)倪x擇。工業(yè)4.0...

2022-11-24 標簽：NAND 工業(yè)4.0 邊緣計算 699 0

為什么可靠的NAND閃存對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要

　　在未來幾年，數(shù)百億臺工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）設(shè)備將被連接起來，并產(chǎn)生從傳感器和應(yīng)用程序收集的大量數(shù)據(jù)。這些IIoT數(shù)據(jù)中的很大一部分最終將在邊緣存儲，...

2022-10-24 標簽：傳感器 NAND 物聯(lián)網(wǎng) 697 0

NAND Flash報價暫時回跌，SSD控制器將進入產(chǎn)業(yè)整合期

連續(xù)多季走強的NAND Flash報價，在2018年第一季可望暫時回跌，然由于3D NAND Flash制程工序繁復，會使晶圓廠的實際產(chǎn)能下滑，故NA...

2018-07-09 標簽：NAND 內(nèi)存 SSD 694 0

韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。

2009-12-31 標簽：閃存 NAND 韓國 691 0

鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標2030年前實現(xiàn)商業(yè)化

近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項重大投資計劃。據(jù)日媒報道，該公司將在未來三年內(nèi)投資360億日元（約合人民幣16.75億元），用于研發(fā)面向...

2024-11-11 標簽：NAND 內(nèi)存鎧俠 688 0

存儲器產(chǎn)業(yè)逐漸形成三股力量

福建晉華集成則與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經(jīng)動工，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片，估計2017年年底完成技術(shù)...

2016-12-06 標簽：NAND 存儲器紫光集團 688 0

西部數(shù)據(jù)深耕工業(yè)應(yīng)用場景，以多樣化解決方案賦能制造行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型

51CTO 當前，數(shù)字經(jīng)濟已經(jīng)成為推動全球經(jīng)濟增長的新引擎，加速企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型進程，推進業(yè)務(wù)的創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，已經(jīng)成為企業(yè)的第一要務(wù)。作為制造大國，...

2023-02-27 標簽：NAND 存儲智能化 688 0

NAND供貨持續(xù)吃緊價格難以回歸平衡

NAND的價格在近幾年來都是水漲船高的局勢，隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn)，預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊，因此DRAM價格下修的可能性也會很低。

2017-12-18 標簽：dram nand 三星電子 687 0

閃存漲價潮來臨國內(nèi)產(chǎn)品跟海外的先進水平又一步縮短

12 月 30 日訊，報道稱，閃存貶價現(xiàn)已兩年了，可是現(xiàn)在好日子要完畢了。自從 6 月份東芝、西數(shù)坐落日本的 NAND 閃存工廠斷電罷工一個月之后，閃存...

2019-12-31 標簽：閃存 NAND 684 0

在為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時提出正確的問題

　　為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤（SSD）非常復雜。性價比比較沒有多大用處，因為需求驅(qū)動的績效定義取決于許多因素。

2022-10-24 標簽：NAND SSD 電池 684 0

鎧俠預(yù)測2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

存儲芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項令人矚目的預(yù)測，稱在人工智能需求的強勁推動下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測不僅展...

2024-11-12 標簽：NAND 存儲芯片鎧俠 683 0

ASIC熱潮再現(xiàn) 攪動2013年3110億美元半導體市場

“蘋果效應(yīng)”預(yù)計將在2013年持續(xù)發(fā)酵，有望帶動NAND產(chǎn)業(yè)與特定應(yīng)用集成電路（ASIC）的收入，增長率分別達17.2%和9.4%。 Gartner將蘋...

2013-01-23 標簽：智能手機 DRAM NAND 682 0

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的...

2022-11-10 標簽：NAND 存儲密度三星 681 0

DRAM迎來最后紅利期韓、臺廠商正在瘋狂搶食

以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29...

2018-05-16 標簽：dram nand 三星電子 679 0

俠提升NAND產(chǎn)能行業(yè)影響及業(yè)界觀點

潘建成表示，群聯(lián)當前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認為，原廠擴大產(chǎn)能，有利于維護NAND市...

2024-03-05 標簽：閃存 NAND 鎧俠 677 0

TOSHIBA 74VHC00FT COMS 汽車、工業(yè)企業(yè)的選擇

74VHC00FT 是一種四路雙輸入 NAND 門，屬于 CMOS 系列數(shù)字集成電路。它采用東芝先進的硅柵 C2MOS 技術(shù)設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)類似于雙極性肖...

2024-11-05 標簽：CMOS NAND 676 0

三星半導體立志達成高額營業(yè)利潤

證券分析人士預(yù)計，2023年，三星電子整體營業(yè)利潤將達33.81萬億韓元，這使得該公司DS部門的營業(yè)利潤有望翻倍。然而需要注意的是，盡管這樣的預(yù)期表現(xiàn)積...

2024-01-02 標簽：DRAM Nand 三星電子 676 0

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。

2018-09-16 標簽：閃存 NAND 3D 675 0

NAND存儲芯片廠商掀起減產(chǎn)浪潮

由于長期nand型需求沒有得到恢復，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動時間從當初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。

2023-08-14 標簽：NAND 晶圓存儲芯片 674 0

消息稱三星西安半導體工廠開啟工藝升級，正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設(shè)備。對于三星來說這無...

2023-10-18 標簽：半導體 NAND 三星 674 0

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