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標簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術,即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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Sabrent發(fā)布Rocket nano 2242固態(tài)硬盤:PCIe Gen4x4和M.2 2242規(guī)格?
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eMRAM屬于新型存儲技術,同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
今日看點丨蘋果著手開發(fā)M4芯片,采用臺積電2納米或3納米制程升級版;三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價談判
1. 三星擬與下游廠商就NAND 閃存漲價談判,目標漲價15~20% ? 近日,有報道稱三星計劃在本月至下月期間,同主要移動端、PC 端、服務器端客戶就...
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基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應用
目前,針對NOR Flash設計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應用;隨著NAND作為大容量存儲介質的普及,基于NAND閃存...
Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產品以及未來五年產品規(guī)劃圖
嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC N...
東芝發(fā)布全球首款QLC內存:壽命什么的不是事 直接比肩TLC閃存
NAND閃存目前已經發(fā)展出了四種形態(tài):SLC單比特單元,性能最好,壽命最長,但成本也最高;MLC雙比特單元,性能、壽命、成本比較均衡,目前主要用于高端和...
希捷酷玩530R固態(tài)硬盤曝光:TLC NAND存儲,寫入耐久達5050TBW?
該款固態(tài)硬盤尺寸為M.2 2280,具備PCIe Gen4x4規(guī)格,順應NVMe 1.4標準,最高可達180萬小時平均故障間隔時間。并有1TB、2TB及...
Sabrent推出Rocket 4系列M.2 NVMe Gen 4 SSD
此外,Rocket 4系列在4K隨機讀寫性能方面表現(xiàn)出眾,可以達到最大讀寫IOPS分別為100萬以及95萬。該系列首發(fā)型號包括1TB和2TB兩款,后續(xù)還...
ZYNQ - 以太網(wǎng)遠程更新貼片SD卡/TF卡應用程序
寫在前面對于ZYNQ系列的板卡固化,可以通過JTAG接口,使用SDK固化到FLASH中,或者可將SD卡取出將SD卡中保存的固化工程進行修改,但在很多情況...
NAND Flash封裝模組短缺 大容量消費級SSD價格或許會大幅上漲
1月23日消息,據(jù)外媒Tom’s Hardware報導,有市場人士表示,由4個或8個NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經供不應求,特別是大...
英特爾聯(lián)合美光宣布晶圓廠擴建完成,3D XPoint被推上產業(yè)制高點
英特爾(INTC. US)、美光科技(MU. US)13日宣布,IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。 新聞稿指出,規(guī)模擴大后的晶圓廠將生產3D...
這一價格調整的背后,實際上反映出市場需求“遠超預期”的現(xiàn)實情況。
三星巨額投資3D NAND閃存,占據(jù)整個半導體行業(yè)的33%
三星的開支計劃到底有多么兇猛?IC Insights預計,三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元,將占到整個半導體行業(yè)的33%(整個行業(yè)第四...
佰維高性能CFexpress卡解決方案 挑戰(zhàn)讀寫速度和讀寫穩(wěn)定性
隨著專業(yè)相機和高端攝像設備的更新迭代,4K、8K等高分辨率設備的出現(xiàn)和逐步普及,用戶對于存儲卡的性能要求也越來越高。其中, 讀寫速度 和讀寫 穩(wěn)定性 成...
韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造
據(jù)報道,韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務,收購后成立的新子公司SK Materials Performance(S...
消息透露,自2023年末起,存儲芯片價格逐漸上漲;盡管整個行業(yè)陷入衰退期,受服務器和數(shù)據(jù)中心應用拉動,先進DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面,NAN...
2024-01-09 標簽:DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 1162 0
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