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標簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術,即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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三星業績近期表現非常差,三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設備供應鏈。
據悉,鎧俠的主要投資者貝恩資本已經將上市審查傳達給了其債權銀行,并預計最早將于今秋在東京證券交易所實現首次公開募股(IPO)。
近日,根據TrendForce集邦咨詢最新發布的內存現貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現出截然不同的表現。 在DRAM方面,消費者需求在...
SK海力士CEO:HBM內存占比料將破兩位數,全面提升盈利能力
面對股東對該公司去年在AI領域備受矚目及HBM熱賣背景下,仍然出現9萬億韓元(折合約482.4億元人民幣)凈虧問題的質疑,郭魯正解釋為主要由占銷售額主導...
自2019年從東芝獨立出來之后,鎧俠一直在積極籌備IPO事宜。原本定于2020年10月上市,但由于突發狀況而被迫推遲;隨后計劃在2021年上市,可惜仍未實現。
近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產措施,以應對全球NAND市場供過于求的現狀及預期的價格下滑趨勢。據《朝鮮日報》報道,三星決定...
從客觀上對于中國半導體業是一次前所未曾有過的大好時機。因為除了如三星,臺積電,英特爾等仍繼續追趕“定律”之外,其它的業者幾乎都在尋找另外的出路。所以中國...
據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業內消息透露...
NAND閃存的未來發展涉及每個存儲單元更多的層和位。與此同時,NVMe-oF、存儲類內存和其他新技術將從根本上改變內存和存儲器的應用和發展。
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