據報道，韓國科技巨頭 SK 海力士首席執行官（CEO）郭魯正于當日召開的年度股東大會上透露，預計本年其高速緩存模塊 （HBM） 在全線DRAM內存中銷量會占據兩位數比例，即便如此，明年DRAM供應仍將處于緊缺狀態。

面對股東對該公司去年在AI領域備受矚目及HBM熱賣背景下，仍然出現9萬億韓元（折合約482.4億元人民幣）凈虧問題的質疑，郭魯正解釋為主要由占銷售額主導地位的普通DRAM產品價格下滑所致，盡管HBM如日中天，但去年貢獻的銷售額卻僅占個位數字。

針對常規DRAM價格從去年四季度開始回升以及內存業務整體盈利狀況可能得到顯著改善的預期，郭魯正亦做此表態。對于NAND閃存和固態硬盤領域，他主張將策略重點由追求市場份額轉移到提高營收方面，加大高利潤產品的推廣力度，以應對去年因勇敢投入而遭受的重大損失。

截至目前，SK 海力士并未打算放棄旗下圖像傳感器CIS業務，相反，他們正在對此進行重組。關于技術發展趨勢，郭魯正預測未來HBM內存將會根據客戶需求進行個性化設計，逐漸擺脫通用標準產品的標簽。另外，The Elec，韓國電子媒體曾報道，SK 海力士已經成功接獲來自谷歌的HBM內存定制訂單。

至于中國地區的產能，SK 海力士方面表示已獲得升級許可，將在無錫工廠將DRAM工藝升級至1a納米，進一步擴大生產規模。