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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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Everspin是設計制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的全球領導者,其市場和應用涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。Everspin在...
Everspin是專業(yè)研發(fā)生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商,在包括40nm,28nm及更高的技術節(jié)點在內的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙...
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續(xù)航時間無限...
磁阻式隨機存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機存儲系統中。同時非易失...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
非易失性存儲器在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該...
everspin生態(tài)系統和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進,對其工廠進行微調優(yōu)化。能迅速積累并將這些經驗傳授給Glo...
磁阻RAM(MRAM)是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業(yè)應用。基于MRAM...
Everspin Technologies,Inc是設計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數據持久性和可靠性。完整性,低延遲和安全...
作為一種磁性技術,MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎,而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大,在內存領域,尺寸意味著成本。
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存,在非易失性內存領域(即用于持久性或長期數據存儲)多年來占據著標準地位。然而,隨著工藝技術尺寸縮小至28nm以下,這些...
xSPI STT-MRAM--EM064LX產品系列的主要優(yōu)勢
Everspin的xSPI STT-MRAM產品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達200MHz...
Netsol MRAM非易失存儲芯片是數據記錄應用的優(yōu)選
因需要持續(xù)、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同,無需電壓...
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術,與傳統的存儲器技術相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
對于長期處于困境的MRAM行業(yè)來說,自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。 MRAM轟轟烈烈地問世。但此后,MRAM在工藝發(fā)展和大容量方面并沒...
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