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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能、字節可尋址、非易失性存儲器設備。MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)都聲稱具有相似的性...
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規模,廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。 MRA...
對于存儲器而言,重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經有很多種類的產品做出了各種各樣的努力,但是始終只能偏重某一方面...
ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術,因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋...
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數據可以以總線速度保存到MRAM,并且即使意外...
隨著半導體工藝技術的不斷進步,芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低,半導體芯片廣泛應用在物聯網、個人終端、汽車電子、可穿戴設備、工業互聯網等各個領域。...
eMRAM屬于新型存儲技術,同目前占據市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經過10多年不間斷的研發,全球第一款正式量產并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
Everspin MRAM是面向數據持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MR...
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調基金、國調科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
新式存儲器技術隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技術、材料、設備等環節的關鍵突破,正邁向大規模量產的路上,眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉折...
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術,以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術
MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機存取存儲),是一種非易失性存儲技術,從 1990 年代開始發展。此技術...
在 MRAM 這類內存寫入時,組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓,使得數據的保存、寫入耐久性,以及寫入速度三者往往不可兼得,必須有所權衡。這意味著即使ST...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性...
醫療設備專用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM的應用
Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫療設備中的非易失存儲器,例如在醫用呼吸中,4Mb (MR25H40)的MRAM可...
Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。為云存儲,能源,工業,汽車和...
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