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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl(串行外圍接口)是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串...
串口MRAM存儲(chǔ)器MR25H256ACDF概述及特征
MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力,能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度相結(jié)合,同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性...
BV百度風(fēng)投三輪加注,MRAM企業(yè)亙存科技再獲融資
亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術(shù)為中心,致力于設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設(shè)在深圳,在上海、蘇州等地設(shè)有r&...
MR4A16B是一個(gè)16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個(gè)16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲(chǔ)器
Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫(xiě)、即時(shí)開(kāi)啟、非揮發(fā)性、和無(wú)限次擦除等特性。Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選...
MRAM可能是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對(duì)極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí),它們的電阻會(huì)發(fā)生變化,這取決于它...
2022-07-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)納米MRAM 1295 0
并行MRAM存儲(chǔ)芯片MR5A16A的特點(diǎn)是怎樣的
MR5A16A是一個(gè)33,554,432位MRAM存儲(chǔ)芯片器件,組織為2097152個(gè)16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序(對(duì)于...
淺談非易失性MRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)
切換(或場(chǎng)驅(qū)動(dòng))MRAM包括大部分的獨(dú)立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度,需要更低的...
2020-06-23 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1267 0
MRAM技術(shù)再突破 工研院?jiǎn)?dòng)全新內(nèi)存戰(zhàn)局(下)
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結(jié)構(gòu),在這當(dāng)中最為關(guān)鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代S...
2022-06-29 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1263 0
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是怎樣的
MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)(MTJ ),而后者則是電荷。 每一個(gè)磁性隧道結(jié)包含一個(gè)固定層和一個(gè)自由層。固定層的...
MRAM技術(shù)再突破 工研院?jiǎn)?dòng)全新內(nèi)存戰(zhàn)局(上)
在工研院即將進(jìn)入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團(tuán)隊(duì)所開(kāi)發(fā)出來(lái)的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術(shù)”榮獲杰出研究金牌獎(jiǎng),此技術(shù)乍看之下并不顯眼,但該內(nèi)存技...
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴(kuò)展性和耐用性
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)它結(jié)合了非易失性,出色的可擴(kuò)展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫(xiě)功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩(STT)寫(xiě)入是一種通過(guò)對(duì)齊...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢(shì)
Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場(chǎng)和應(yīng)用的翹楚,在這些市場(chǎng)和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個(gè)419...
非易失性串口MRAM存儲(chǔ)器MR25H256CDF概述及特征
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動(dòng)化控制器的存儲(chǔ)器芯片
Everspin了解客戶在工業(yè)市場(chǎng)中對(duì)長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過(guò)避免使用其他非易失性存儲(chǔ)器技...
2022-04-18 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1176 0
MR10Q010是理想的存儲(chǔ)器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。Quad S...
MRAM擁有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,它的優(yōu)異性能是什么
非易失性是指MRAM單元在關(guān)斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質(zhì)各異。 閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠?jī)蓚€(gè)閃存反相器交叉耦合組成...
將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM的詳細(xì)說(shuō)明
存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商宇芯電子本章節(jié)對(duì)賽普拉斯4Mbit(256K x 16)nvSRAM 和?MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II(薄小外型封裝-...
FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容
新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
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