Netsol MRAM非易失存儲芯片是數據記錄應用的優選
netsol基于在內存相關領域的豐富開發經驗以及低成本、超小型和低功耗內存解決方案設計的專業知識、為工業自動化、網絡系統、醫療、游戲、企業數據中心和物聯網設備等廣泛領域的各種應用程序，提供最優化的定制內存解決方案。在下一代存儲器半導體領域，尤其是STT-MRAM領域，處于翹楚。
數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。
–系統內外部發生的事件
–使用歷史
–環境參數
–機器狀態
–用于分析目的的其他數據
因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優勢包括:與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無需電容器；寫入速度快；近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數）；斷電即時數據備份。
Netsol MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說，是最合適的內存。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
審核編輯黃宇
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