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      MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊

      要長高 ? 2025-02-28 10:48 ? 次閱讀

      概述

      MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
      數(shù)據(jù)表：*附件：MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊.pdf

      應(yīng)用

      特性

      • 備用電池
      • 存儲器寫保護(hù)
      • 工作模式靜態(tài)電流：230μA
      • 備用模式靜態(tài)電流：2nA
      • 電池保鮮密封
      • 可選冗余電池
      • VCC 電源開關(guān)具有低正向壓降
      • 5%或10%電源故障檢測選項(xiàng)
      • 在上電期間測試電池狀況
      • 采用8引腳SO封裝

      引腳配置
      image.png

      非易失性RAM控制器
      image.png
      image.png

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • CMOS
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