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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IPM(智能功率模塊)是一種先進的功率開關器件,兼有GTR(大功率晶體管)高電流、低飽和電壓和高耐壓的優點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)前兩期中,我們分別從歐美和日系兩大陣營解析了MOSFET主流玩家的主要產品。無論是一直以來以強橫實力始終保持平穩的歐美廠商...
電子負載和電阻負載區別 電子負載和電阻負載是電子學中常見的兩種負載,它們在測試電路、進行數據采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來模擬負載...
全球金氧半場效電晶體(MOSFET)產能大缺,下半年恐現缺貨潮,ODM/OEM廠及系統廠客戶搶產能,臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等第3季訂單全滿,接單能...
面向汽車ECU的MOSFET柵極驅動器開關TPD7107F的介紹
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出柵驅動器開關IPD“TPD7107F”。該產品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(EC...
共源級放大器用電阻負載和有源負載的區別是什么? 共源級放大器是一種常見的放大器電路,它由一個MOSFET管和一個負載組成。在這個電路中,信號通過輸入端送...
在高功率水平下,驗證熱插拔設計是否不超過MOSFET的能力是一個挑戰。幸運的是,熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPI...
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CC...
全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代...
東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-M...
理解功率MOSFET的開關損耗 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參...
2009-10-25 標簽:MOSFET 3531 0
對于硅,隨著耐壓的升高,每單位面積的電阻也會增加(大約是耐壓的2.5次方的平方)。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)主要用于600V以上的電壓。IGBT...
Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性優勢及典型應用
隨著功率電子市場的發展,傳統硅(Si)器件的性能已經接近了理論上的“天花板”,因此近年來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶第三代半導體器...
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