如何使用Soatherm進行MOSFET熱模型的設計
在高功率水平下，驗證熱插拔設計是否不超過MOSFET的能力是一個挑戰。幸運的是，熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符號包含由線性技術開發的MOSFET熱模型集合，以簡化此任務。這些熱模型可用于驗證MOSFET的最大模具溫度沒有超過，即使在斯普里托區域，允許電流在高漏源電壓下呈指數下降。理論上，Soatherm報告了MOSFET芯片上最熱點的溫度。Soatherm模型預測了MOSFET的溫度，而不影響電路模擬的電氣行為。本視頻介紹如何使用Soatherm
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電流
+關注
關注
40文章
7116瀏覽量
134196 -
MOSFET
+關注
關注
150文章
8262瀏覽量
218507 -
熱插拔
+關注
關注
2文章
245瀏覽量
38186
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
MOSFET熱阻參數解讀
MOSFET的熱阻（Rth）用來表征器件散熱的能力，即芯片在工作時內部結產生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環境傳遞過程中所遇到的阻力，單位是℃/W，其值越小越好。
Simcenter Flotherm BCI-ROM技術：與邊界條件無關的降階模型可加速電子熱設計
優勢比解算完整的3D詳細模型快40,000倍與完整的3D詳細模型相比，沒有有效精度損失適用于所有熱環境–用戶定義傳熱系數范圍可以在很長的持續時間內進行瞬態仿真，例如汽車行使工況支持多個
MOSFET講解-17（可下載）
接下來接著看 12N50 數據手冊上面這個參數是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計算公式：RBJC = T
發表于 04-22 13:29
?4次下載
MOSFET開關損耗計算
MOSFET 而言，其最大功率損耗是由溫度及結-包裝外殼間之熱阻所決定的，即：
由上式可知，若能夠有效減少熱阻，則 Power MOSFET 所能承受之的最大功率損耗就可以獲得提升
發表于 03-24 15:03
基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）
Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南
電子發燒友網站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費下載
發表于 02-13 17:21
?1次下載
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型
電子發燒友網站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型.pdf》資料免費下載
發表于 02-12 15:15
?0次下載
功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱
如何對基于MOSFET的VI電流源進行穩定性仿真？
您好，我在設計基于MOSFET的VI電流源時參考了文獻sboa327中的示例，但是在進行穩定性分析時得不到文獻中的結果，TI Precision labs也看了，沒有帶MOSFET的例子。能否幫我
發表于 07-31 06:41
使用TensorFlow進行神經網絡模型更新
使用TensorFlow進行神經網絡模型的更新是一個涉及多個步驟的過程，包括模型定義、訓練、評估以及根據新數據或需求進行模型微調（Fine-
工商網監
評論