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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率 MOSFET 怎么選?4 大核心參數(shù) + 5 類照明場(chǎng)景適配指南(內(nèi)有實(shí)測(cè)數(shù)據(jù))
在智能照明系統(tǒng)中,功率 MOSFET 作為驅(qū)動(dòng)電路核心器件,其選型直接影響燈具的亮度一致性、能效及壽命。本文針對(duì)工程師在器件選型中的核心痛點(diǎn),系統(tǒng)解析導(dǎo)...
英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用
英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這...
5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET
傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì),并做損耗...
BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述
傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...
在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見(jiàn)類型
在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見(jiàn)類型
2025-04-14 標(biāo)簽:MOSFETemc柵極驅(qū)動(dòng) 356 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案
傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源...
2025-02-13 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 354 0
芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì),匯聚了眾...
新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板
新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能...
零碳時(shí)代,碳化硅器件的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
5月25日,由行家說(shuō)舉辦的汽車與光儲(chǔ)充SiC應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)在上海成功舉辦,英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)經(jīng)理張明丹應(yīng)邀參加了大會(huì)主題演講。
2023-06-06 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 343 0
安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設(shè)計(jì)
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L(zhǎng),光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案,助力光伏逆變器廠商實(shí)現(xiàn)更高...
碳化硅MOSFET充電樁電源模塊爆雷時(shí)間點(diǎn)預(yù)計(jì)始于2026年
充電樁電源模塊客戶擔(dān)憂現(xiàn)有碳化硅(SiC)MOSFET供應(yīng)商的柵極可靠性問(wèn)題可能在未來(lái)三五年內(nèi)“爆雷”,其科學(xué)依據(jù)主要基于以下關(guān)鍵點(diǎn): 碳化硅MOSFE...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 339 0
新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板
新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板該虛擬設(shè)計(jì)(提供設(shè)計(jì)文件,不提供實(shí)物產(chǎn)品)為3L-ANPC拓?fù)洌菐Ц綦x的三相...
國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析
分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個(gè)SiC MOSFET型號(hào)(B3M040065Z和B3M040120Z)在T型三電平...
BASiC:國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象與功率半導(dǎo)體發(fā)展的必然性 國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕與市場(chǎng)擴(kuò)張的關(guān)鍵期,但也暴露出技術(shù)浮躁、標(biāo)準(zhǔn)缺失、劣...
2025-03-16 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 336 0
芯導(dǎo)科技受邀參加NEPCON China 2025
NEPCON China 2025中國(guó)國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì)(nepcon電子展)于4月22日-24日在上海世博展覽館盛大開幕。館內(nèi)人潮川流...
龍騰半導(dǎo)體入選省級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍培育庫(kù)
近日,省工信廳公布了省級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍培育庫(kù)入庫(kù)企業(yè)名單,憑借在功率半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)成功入選,這一榮譽(yù)標(biāo)志著公司在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力及行業(yè)引領(lǐng)...
2025-04-03 標(biāo)簽:MOSFET制造業(yè)功率半導(dǎo)體 335 0
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