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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊 1346 0
思瑞浦CMTI±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動TPM2351x系列產(chǎn)品簡介
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計公司——思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動——TPM23...
內(nèi)置1700V SiC MOS的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1343 0
增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率
UCC27282 120V半橋驅(qū)動器具有多項(xiàng)新特性和參數(shù)改進(jìn),有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號可禁用驅(qū)動器,將UCC27...
圣邦微電子推出SGM2538系列高精度、單通道電子保險絲產(chǎn)品
圣邦微電子推出 SGM2538 系列高精度、單通道電子保險絲產(chǎn)品。SGM2538 系列產(chǎn)品可滿足數(shù)字通訊系統(tǒng)母線電壓多樣化和內(nèi)部節(jié)點(diǎn)功能復(fù)雜化等市場需求...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(下)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
基于PN8360電源IC的5V/2.4A電源應(yīng)用方案
PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述 1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻,C5起到環(huán)路補(bǔ)償?shù)淖饔谩? 2、C1、D...
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
支持SPI通訊|高集成度的直流有刷柵極驅(qū)動IC TMI8721-Q1
拓爾微TMI8721-Q1專為智能汽車車身域打造,支持SPI通訊,用于各類驅(qū)動參數(shù)的調(diào)節(jié)及故障信息的讀取;同時TMI8721-Q1內(nèi)部集成了電流采樣運(yùn)放...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1339 0
副邊反饋18W功率MOSFET電源芯片U6205D封裝DIP-7介紹
家電產(chǎn)品是耐用消費(fèi)品,使用壽命長生產(chǎn)規(guī)模大,對芯片的穩(wěn)定性、可靠性以及兼容性要求較高。
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFETPWM反激式轉(zhuǎn)換器 1338 0
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
本篇文章以實(shí)例為基準(zhǔn),分析一個設(shè)計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC384...
在如今的許多應(yīng)用中,要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對此,傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動器件。...
MOSFET驅(qū)動器功耗 MOSFET驅(qū)動器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)...
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)...
基于有限狀態(tài)機(jī)(FSM)的SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)建模
在航空、艦載系統(tǒng)和電動汽車領(lǐng)域已經(jīng)觀察到,[1][2][3] 可用的最佳解決方案之一是碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)樗哂懈哳l HF 和高-其轉(zhuǎn)...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETASIC芯片 1332 0
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