今天給大家分享的是：如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中浪涌電壓？
2024-01-09 09:50:06
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電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
SiC碳化硅MOS驅(qū)動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
突發(fā)的巨大能量，以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。最常見的就是電子產(chǎn)品使用過程中會遇到的電壓瞬變和浪涌，從而導(dǎo)致電子產(chǎn)品的損壞，損壞的原因是電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件(包括二極管、晶體管、可控硅和集成電路等)被燒毀或擊穿。本文闡述下關(guān)于抑制浪涌的那些解決辦法~
2020-10-22 18:37:10
浪涌電流的抑制——NTC浪涌電流的抑制方法有很多，一般中小功率電源中采用電阻限流的辦法抑制開機(jī)浪涌電流。我們分析一下如何使用NTC熱敏電阻進(jìn)行浪涌電流的抑制。NTC熱敏電阻，即負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，其
2014-03-20 09:37:32
電路PCB布局注意事項電路PCB布線注意事項
2021-03-01 08:22:41
）。 使用浪涌抑制器提供有源保護(hù) 要克服所述的無源保護(hù)解決方案面臨的挑戰(zhàn)和存在的缺點，方法之一是轉(zhuǎn)為使用浪涌抑制器IC。浪涌抑制器采用易于使用的控制器IC和串聯(lián)N通道MOSFET，因此無需使用繁雜的分流電路
2021-11-05 07:00:00
電路板工藝流程和注意事項1電源、地線的處理既使在整個印制電路板板中的布線完成得都很好，但由于電源、地線的考慮不周到而引起的干擾，會使產(chǎn)品的性能下降，有時甚至影響到產(chǎn)品的成功率。所以對電、地線的布線要
2011-03-30 10:38:07
一、應(yīng)用背景： 1.全球氣候變暖，雷雨天氣增多2.電源雷擊損壞后，危害大3.電源雷擊損害后，維修成本高4.高浪涌防護(hù)電源成為行業(yè)趨勢 二、方案說明及注意事項： 1.此方案后級采用反應(yīng)時間很快，殘壓
2020-11-25 14:58:48
精度進(jìn)行布局，而對于電阻電容和電感等無源小器件，可采用25mil的格點進(jìn)行布局。大格點的精度有利于器件的對齊和布局的美觀。PCB布局規(guī)則：1、在通常情況下，所有的元件均應(yīng)布置在電路板的同一面上，只有
2017-04-25 14:52:09
抑制效果，因此為了獲得理想的效果，在此介紹幾點需要著重注意的問題。推薦理由：有關(guān)浪涌抑制電路的電路板布局注意事項，給出具體的浪涌電路和電路板布局示例，焊盤圖案布局，浪涌抑制電路的回流線、旁路電容器等
2022-04-01 10:29:51
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進(jìn)行兩級驅(qū)動Mosfet管。而驅(qū)動的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
，就會受到來自內(nèi)部和外部的浪涌電壓電流。繼電器浪涌抑制功能只是在抑制自身產(chǎn)生的浪涌，以消除對外部電路的影響。來自于外部的浪涌我們不得而知，這是工程師在設(shè)計整個電路時考慮的事情。外部浪涌對繼電器的殺傷力也
2016-12-03 21:09:19
線性浪涌抑制器LT4363。圖7 LT4363的電路架構(gòu)LT4363簡介它能通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，以在過壓過程中（比如：汽車應(yīng)用中的負(fù)載突降情況）調(diào)節(jié)輸出電壓。輸出被限制在一個安全
2022-04-02 10:33:47
的最大額定值。②是在柵極-源極間增加外置電容器，降低阻抗，抑制柵極電位升高的方法。這里需要注意的是CGS也會造成損耗，因而需要適當(dāng)?shù)碾娙荨＂凼窃?b class="flag-6" style="color: red">柵極-源極間增加米勒鉗位用MOSFET的方法。通過在
2018-11-27 16:41:26
浪涌電壓會嚴(yán)重危害電子系統(tǒng)的安全工作。在電子線路中通常采用浪涌保護(hù)抑制器件來對電路進(jìn)行保護(hù)，介紹幾種浪涌抑制保護(hù)器件：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制二極管TVS。這幾種浪涌
2020-11-20 16:54:46
的設(shè)計方法十分重要。 一般說來，印制電路板的設(shè)計不需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)睦碚摵途_的計算，布局排板并沒有統(tǒng)一的固定模式。對于同一張電路原理圖，因為思路不同、習(xí)慣不一、技巧各異，就會出現(xiàn)各種設(shè)計方案，結(jié)果具有很大
2018-09-19 16:16:06
設(shè)計者所希望的。 無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊 有人提出一種無限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖7(a)所示，其上電電流波形如圖7(b)所示，其思路是將電路設(shè)計成線形恒流電路。實際電路會由于兩極
2018-10-08 15:45:13
高電壓浪涌抑制器確保電源可靠操作
2019-06-11 09:41:40
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流？
設(shè)計類似于 TLE9853 評估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負(fù)載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
電子產(chǎn)品為什么會有開機(jī)浪涌，然后以典型的電源電路為例分析如何使用熱敏電阻抑制浪涌電流，最后介紹熱敏電阻在實際應(yīng)用中應(yīng)如何選型。開機(jī)浪涌電流產(chǎn)生的原因 圖1是典型的電子產(chǎn)品電源部分簡化電路，C1是與負(fù)載并聯(lián)
2016-12-15 16:04:08
壓敏電阻、氣體放電管、TVS瞬態(tài)抑制二極管是電路保護(hù)中常用的浪涌抑制元件，本文主要介紹著幾種元件的工作原理及特性。壓敏電阻工作原理：壓敏電阻的電壓與電流呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)壓敏電阻兩端鎖甲的電壓
2018-01-30 15:23:10
部分及其評估而進(jìn)行調(diào)整，是以非常高的速度進(jìn)行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計的初步評估階段，使用評估板等工具可使開發(fā)工作順利進(jìn)行。關(guān)鍵要點:?使用專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來比較，當(dāng)前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
電壓抑制器的比三. 瞬態(tài)電壓抑制器的應(yīng)1. 瞬態(tài)電壓抑制器的工作特2. 瞬態(tài)電壓抑制器的使用方法和注意事四. 接口電路浪涌沖擊防護(hù)的解決方案
2015-08-06 11:05:16
抑制器控制器可以極大地簡化系統(tǒng)設(shè)計。 浪涌抑制器持續(xù)監(jiān)測輸入電壓和電流。在額定工作條件下，控制器驅(qū)動N通道MOSFET通路器件的柵極完全開啟，提供一條從輸入到輸出的低阻抗路徑。在發(fā)生過壓或浪涌時（閾值由
2021-11-06 07:00:00
），如：鈷、猛、鉍等壓制而成。由于兩種不同性質(zhì)的物體組合在一起，相當(dāng)于一個PN結(jié)（二極管），因此，壓敏電阻相當(dāng)于眾多的PN結(jié)串、并聯(lián)組成。 5、超高浪涌電壓抑制電路 實例1 上圖是一個可
2021-01-11 15:56:37
1、浪涌電壓的產(chǎn)生和抑制原理 在電子系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)線路上，經(jīng)常會受到外界瞬時過電壓干擾，這些干擾源主要包括：由于通斷感性負(fù)載或啟停大功率負(fù)載，線路故障等產(chǎn)生的操作過電壓；由于雷電等自然現(xiàn)象引起的雷電浪涌
2018-10-10 15:27:02
在電子線路中通常采用浪涌抑制器件來對電路進(jìn)行保護(hù)，常見的幾種浪涌抑制器件有：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制二極管TVS和半導(dǎo)體放電管TSS。浪拓電子作為專業(yè)的浪涌防護(hù)廠商，為
2019-07-22 12:17:19
紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
使用PROTEUS來設(shè)計其印刷電路板的一般設(shè)計步驟與注意事項用PROTEUS7.5制作印制電路板的注意事項
2021-04-26 07:03:52
DC1935A-A，演示板用于LT4363-1高壓浪涌抑制器，帶限流，閂鎖版本。演示電路1935A展示了12V，2A應(yīng)用中的LT4363-1浪涌抑制器。高達(dá)80VDC的輸入和高達(dá)250V的1ms瞬態(tài)電壓在輸出端限制為16.3V。通過限流來保護(hù)MOSFET免受輸出過載
2019-02-19 09:27:42
抑制器。該電路板的輸入范圍為7V至100V，提供7V至34V輸出，電流為0A至10A。它的輸出是電流限制的。軟啟動功能可在啟動時控制輸出電壓壓擺率，從而減少電流浪涌和電壓過沖。演示板包括一個可選的反極性
2019-05-24 09:08:30
電源技術(shù)中的熱敏電阻抑制浪涌電流設(shè)計
2021-06-08 06:14:57
。氣體放電管（GDT ）、金屬氧化物壓敏電阻 （MOV） 和電壓瞬變抑制二極管（TVS ）是在電源浪涌保護(hù)電路中經(jīng)常采用的幾種電子器件。交流電源系統(tǒng)的防護(hù)電路
2021-05-10 12:46:16
瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的注意事項與布局布線？相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下！一、瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的注意事項工作電壓/反向截止電壓（VR=VRWM）此
2024-01-03 10:38:37
秦晉電子在這里總結(jié)一些瞬態(tài)抑制二極管TVS管的選型心得，供大家參考：1、TVS是用來防護(hù)浪涌電流的，如果知道要防護(hù)的最大電流Ipp最好。首先確定TVS的Ipp。2、再其次確定待防護(hù)電路的直流電壓或
2018-04-04 14:47:42
如何抑制LED燈具浪涌電流？
2021-03-16 14:50:00
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負(fù)載開關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流應(yīng)對
2019-07-23 01:13:34
MOSFET 中采用 4 引腳封裝，也是基于這樣的背景，旨在在使用了 SiC 功率元器件的應(yīng)用中，進(jìn)一步降低損耗。這里有一個注意事項，或者說是為了有效使用 4 引腳封裝產(chǎn)品而需要探討的事項。前面提到
2020-11-10 06:00:00
高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件
2019-09-03 14:41:08
電燈浪涌電流抑制器電路
2009-01-21 01:32:072884 
電燈浪涌電流抑制電路
2009-02-06 10:12:041030 
氣體放電管在浪涌抑制電路的應(yīng)用
摘要：闡述了浪涌電壓產(chǎn)生的機(jī)理，介紹了氣體放電管的工作原理、特性參數(shù)和
2009-07-09 10:38:263015 
浪涌電壓抑制器及其應(yīng)用
1浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開電感負(fù)載或大型負(fù)載時常常會產(chǎn)生很高的操作過電壓，這種瞬時過電壓（或過電流）
2009-07-09 14:59:522076 
固體放電管在浪涌抑制電路的應(yīng)用
固體放電管是基于晶閘管原理和結(jié)構(gòu)的一種兩端負(fù)阻器件。可以吸收突波,抑制過高電壓,達(dá)到保護(hù)易損組件的目的
2009-10-17 08:46:231611 繼電器線圈浪涌電壓抑制
繼電器線圈在注入能量以后，在開關(guān)斷開的一瞬間，會產(chǎn)生一個巨大的直流浪涌電壓，這個電壓在高邊開關(guān)的時候是負(fù)電
2009-11-21 14:24:046015 本文對微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理
2011-08-04 15:20:053790 LTC4366 浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部 N 溝道 MOSFET 的柵極，LTC4366 可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在 MOSFET 兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運作狀
2012-09-21 11:37:09
111 本文首先分析電子產(chǎn)品為什么會有開機(jī)浪涌，然后以典型的電源電路為例分析如何使用熱敏電阻抑制浪涌電流，最后介紹熱敏電阻在實際應(yīng)用中應(yīng)如何選型。
2016-07-29 15:53:492987 設(shè)計高速電路板的注意事項，可以下來看看。
2016-12-14 21:50:030 碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:5017 設(shè)計高速電路板的注意事項
2017-01-28 21:32:490 密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。 本文對微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
2017-11-13 16:36:155 本文帶來開關(guān)電源浪涌抑制電路、三個防開機(jī)浪涌電流電路和電燈浪涌電流抑制電路圖五個防浪涌電路圖分享。
2018-01-11 11:40:0660969 
雷擊浪涌抑制電路設(shè)計基本功
2018-02-02 11:45:0014514 對于任何系統(tǒng)而言，保護(hù)敏感電子電路免遭電壓瞬變的損害都是不可或缺的部分，不管是汽車、工業(yè)、航天還是電池供電型消費應(yīng)用皆不例外。凌力爾特憑借其浪涌抑制器系列為這些應(yīng)用提供了眾多的解決方案
2018-06-28 09:16:424416 
凌力爾特的浪涌抑制器產(chǎn)品通過采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
Hercules設(shè)計進(jìn)階--電路板設(shè)計注意事項1
2018-08-20 00:17:002990 Hercules設(shè)計進(jìn)階--電路板設(shè)計注意事項2
2018-08-08 00:35:002625 對于任何系統(tǒng)而言，保護(hù)敏感電子電路免遭電壓瞬變的損害都是不可或缺的部分，不管是汽車、工業(yè)、航天還是電池供電型消費應(yīng)用皆不例外。凌力爾特憑借其浪涌抑制器系列為這些應(yīng)用提供了眾多的解決方案。LTC
2019-03-21 06:51:003907 本文主要介紹了柔性電路板焊接方法操作步驟及柔性電路板焊接注意事項。
2019-05-21 14:51:055633 本文首先介紹了浪涌抑制器是什么，然后解釋了浪涌抑制器的作用，最后從分四類的角度對四種浪涌抑制器的工作原理進(jìn)行了解釋
2019-08-01 16:01:2117797 高電壓浪涌抑制器確保電源可靠操作
2021-03-18 22:29:4815 浪涌抑制器
2021-04-21 11:59:528 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。在本文
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442121 一種改進(jìn)的航天服浪涌電流抑制方法
2021-06-22 16:35:2924 本文將介紹實際制作這種浪涌抑制電路時電路板布局方面的注意事項。
2022-03-29 17:42:543200 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
藍(lán)寶寶浪涌抑制器，英文簡稱BPSS，亦稱為藍(lán)寶寶TVS瞬態(tài)抑制二極管，快速的響應(yīng)時間、超強(qiáng)的浪涌吸收能力和抑制電壓
能力，一般并接在電路中，解決浪涌問題的同時，對靜電又起到了超強(qiáng)的保護(hù)作用。可別
2023-02-16 15:02:250 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:50551 
)，基本上沒有問題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加用來來抑制浪涌電壓的電路，以更大程度地確保浪涌電壓不超過SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:41:23389 
不受管理的浪涌電壓可能會導(dǎo)致系統(tǒng)中斷或損壞，甚至對用戶和操作員造成危險。浪涌保護(hù)裝置 (SPD)，也稱為瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)，通常用于通過限制或阻斷能量來防止電壓浪涌和尖峰。SPD 可以在配電網(wǎng)絡(luò)、建筑物布線和電子系統(tǒng)中找到。IEC 61000-4-5 定義了電氣和電子設(shè)備的浪涌電壓要求。
2023-03-31 09:38:03934 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
布局注意事項。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 浪涌抑制器（Surge Protector）是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓浪涌、電流過載和過電壓等電力問題的電氣設(shè)備。它的功能是在電路中限制電壓或電流的突然變化，以保護(hù)電子設(shè)備不受損壞。TPS2042BDR浪涌抑制器通常用于電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、家庭電器等電子設(shè)備中。
2023-06-08 18:05:503488 電流，以保護(hù)電路不被破壞。 浪涌電流的概念 要了解浪涌電流的消除和抑制方法，首先需要了解浪涌電流的原理。浪涌電流是指電路中的瞬態(tài)電流或瞬變電流，往往產(chǎn)生于電路中斷或開關(guān)的切換過程中。例如，在變壓器的一次側(cè)斷開電
2023-09-02 10:20:591379 抑制浪涌電流的措施有哪些？ 在電路工程中，由于電流的急劇變化，會引起一個短時間內(nèi)電壓突然增加的現(xiàn)象，這就是浪涌電流。這種電流會對電路設(shè)備和設(shè)施產(chǎn)生損害，因此需要采取措施來抑制浪涌電流。接下來，我們
2023-09-04 17:39:401722 抑制浪涌電流是什么意思？ 抑制浪涌電流是指在電路中采取一定的電路設(shè)計或安裝相應(yīng)的保護(hù)電路來防止電路中突然出現(xiàn)的浪涌電流損壞電器設(shè)備或電子元器件的現(xiàn)象。 浪涌電流是一種異常的電流，出現(xiàn)在電路中，其幅度
2023-09-04 17:39:42470 如何消除或抑制浪涌電流？抑制浪涌電流的方法有哪些？ 浪涌電流是指電流在電路中突然變化，導(dǎo)致電壓急劇變化。這種電流會破壞電子設(shè)備并對設(shè)備產(chǎn)生不可逆的影響。因此，消除浪涌電流和抑制浪涌電流的方法是非
2023-09-04 17:48:115621 浪涌抑制器的作用是什么？ 浪涌抑制器（Surge Protector）是一種電子保護(hù)設(shè)備，通常用于保護(hù)家庭和企業(yè)設(shè)備免受急劇電壓變化或突然的電磁脈沖（EMP）等電力干擾的損害。浪涌抑制器可以通過響應(yīng)
2023-09-04 17:48:231220 設(shè)計高速電路板的注意事項
2022-12-30 09:22:063 設(shè)計高速電路板的注意事項
2023-03-01 15:37:564 放電齒為什么能抑制吸收浪涌電流呢？ 放電齒是一種用于抑制吸收浪涌電流的電路元件。它通過將電流放電到電容器或其他負(fù)載上，從而防止電流超過負(fù)載設(shè)備的額定值。放電齒在很多電子設(shè)備和電路中使用，其原理和工作
2023-11-23 09:45:44256 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的注意事項與布局布線？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-01-03 10:34:36209 
今天給大家分享的是： 如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中浪涌電壓？ 一、什么是浪涌電流？ 浪涌電流 是 電路打開吸收的最大電流，出現(xiàn)在輸入波形的幾個周期內(nèi)。 浪涌電流的值遠(yuǎn)高于電路的穩(wěn)態(tài)電流，高電流可能會損壞設(shè)備
2024-01-09 08:36:061126 
浪涌抑制器的未來發(fā)展如何？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-01-11 09:58:58115 
浪涌脈沖群抑制濾波器起什么作用？ 浪涌脈沖群抑制濾波器是一種用于抑制設(shè)備中的浪涌脈沖群的濾波器。浪涌脈沖群是由電源中的過電壓引起的短時間、高能量的脈沖，可以對設(shè)備和系統(tǒng)造成嚴(yán)重影響，甚至導(dǎo)致設(shè)備損壞
2024-01-11 16:27:16167 浪涌抑制器的應(yīng)用及注意事項？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-01-19 09:55:4197 
如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓？ 電源轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見的組件，其主要功能是將電源輸入轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓和電流。然而，在電源轉(zhuǎn)換過程中，常常會產(chǎn)生浪涌電壓，這可能對電子設(shè)備及其周圍的電路產(chǎn)生
2024-02-04 09:17:00322 浪涌抑制器（MOV）在受到足夠的電壓沖擊并發(fā)生故障時，通常會變成黑色或棕色。此外，有些浪涌抑制器在損壞時可能會變成綠色。
2024-02-18 11:21:29389
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