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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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由于存在物理學(xué)定律,電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對(duì)此無(wú)能為力,所以自熱離子真空管問世以來(lái),電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會(huì)了通過(guò)開發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪?lái)解決這些問題。
2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器FET 1303 0
我印象中以前普遍都是將示波器的地線夾子去了,換彈簧夾子(因?yàn)檫@個(gè)本身的夾子與地線會(huì)形成環(huán)路,像一個(gè)天線接收雜訊,引入一些不必要的雜訊),此外,在探頭上并...
兩個(gè)單片式DC/DC轉(zhuǎn)換器縮小電池供電應(yīng)用
當(dāng)相對(duì)較高的電壓軌(12V)必須降壓到相對(duì)較低的電平時(shí) (3.3V,1.8V),傳統(tǒng)的首選轉(zhuǎn)換器是DC/DC開關(guān)控制器,用于驅(qū)動(dòng) 外部 MOSFET。在...
2023-01-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1301 0
與硅相比,寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可為電源設(shè)計(jì)人員帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)。更低的傳導(dǎo)...
碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試
基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三...
半導(dǎo)體變遷史科普:計(jì)算機(jī)、晶體管的問世
無(wú)可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊:SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì),突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
LT8310/LT1431具光電反饋功能的81W隔離式正激式轉(zhuǎn)換器
LT?8310 是一款具有一個(gè)低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的恒定頻率諧振復(fù)位正激式轉(zhuǎn)換器控制器。LT8310 具有一個(gè) 6V 至 100V ...
2023-04-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1292 0
英飛凌CoolGaN技術(shù)開啟電力電子新時(shí)代?
英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項(xiàng)尖端硅技術(shù)與寬帶對(duì)應(yīng)技術(shù)相結(jié)合?;谑袌?chǎng)上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù),英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決...
雙通道9A、降壓型μ模塊穩(wěn)壓器,具有數(shù)字電源系統(tǒng)管理
LTM4675 是一款雙通道 9A 或單通道 18A 降壓型 μModule? (微模塊) DC/DC 穩(wěn)壓器,具有通過(guò) PMBus — 一種基于 I2...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元
開關(guān)穩(wěn)壓器是一種常見的電子設(shè)備,用于穩(wěn)定電壓輸出。它的工作原理基于開關(guān)電源技術(shù)。
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFET電感器開關(guān)穩(wěn)壓器 1288 0
對(duì)于一名硬件工程師來(lái)說(shuō),電感是常用的元器件,本文將重點(diǎn)分析電感在DC-DC設(shè)計(jì)中的運(yùn)用。只有充分理解電感在DC/DC電路中發(fā)揮的作用,才能設(shè)計(jì)出優(yōu)秀的D...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì),但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,...
JW7211是一款集成式熱插拔及理想二極管控制器。在大功率通信電源中,可以通過(guò)嚴(yán)苛的瞬態(tài)測(cè)試。jw7211的額定電壓達(dá)到200v使得其更容易通過(guò)雷擊浪涌...
中國(guó)功率器件大市場(chǎng)分析報(bào)告
國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET(非車規(guī))等,已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。
三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
PN8611:優(yōu)化12V1A適配器性能的關(guān)鍵組件
PN8611是一款全電壓實(shí)現(xiàn)12V1A輸出的電源適配器芯片,PCBA尺寸:50.0mm*38.0mm*16.0mm,12W功率輸出,待機(jī)功耗<75...
反激式變換器及其拓?fù)?、有用參?shù)和操作反激式控制器(MPX2002和MPX2003)
反激式變換器是用于醫(yī)療設(shè)備和筆記本電腦等應(yīng)用的多功能電力電子器件。這種變換器也稱為隔離式升降壓變換器,其電路簡(jiǎn)單,可以調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸出電壓(VOUT),同...
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