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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程,針對(duì)開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間,產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題,進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象,通過對(duì)比傳統(tǒng)平面MO...
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源 1037 0
PMOS防反接保護(hù)電路和MOS管防電源反接電路設(shè)計(jì)解析
隔離作用:也就是防反接,相當(dāng)于一個(gè)二極管。使用二極管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在G極加合適的電壓,可以讓MO...
2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 3948 0
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體功率電子 1488 0
影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1729 0
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
在雙MOS管Buck電路中,有兩個(gè)MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個(gè)MOSFET管與電源相連,另一個(gè)MOSFET管與負(fù)載相...
面對(duì)眼花繚亂的AC/DC開關(guān)電源我們應(yīng)該如何選型?
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,AC/DC開關(guān)電源已基本取代線性電源,朝著小型、輕量和高效的方向發(fā)展。
2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源PWM控制器 1698 0
功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
EMP平臺(tái)的電動(dòng)汽車動(dòng)力喪失事件與車輛的ICC(集成控制充電單元)故障之間存在明顯的關(guān)聯(lián),ICCU負(fù)責(zé)為HV(高電壓)電池和LV(低電壓)12V電池供電...
2023-08-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET晶體管 723 0
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