電動汽車空調(diào)壓縮機是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心，合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率，從而可以提高整個系統(tǒng)的效率。

傳統(tǒng)的1200V硅IGBT方案開關(guān)損耗較大，散熱問題嚴重，若采用碳化硅MOSFET方案可以通過提升逆變器開關(guān)頻率，以減小輸出電流的總諧波畸變率，從而減小壓縮機的諧波損耗，提升壓縮機的效率，進一步提高空調(diào)熱泵系統(tǒng)的效率，所以碳化硅MOSFET更有利于電動汽車空調(diào)熱管理?

國產(chǎn)基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M040120Z 40mR/1200V支持TO-247-4封裝，是基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

不僅如此，國產(chǎn)B2M040120Z還可替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及科銳C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG，國芯思辰可以提供專業(yè)的技術(shù) 。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET產(chǎn)品亮點：

更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案，比導通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。

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