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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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有兩個因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關的時間;互連延遲由芯片設計、工藝技術,以及互連的導體和電介質材料決定。
在本應用筆記中,我們將討論為高壓和高頻應用開發的BiMOSFET。我們還將討論其直流電性能及其開關應用。 在IXBH40N160中,IXYS通過引入集電...
2021-05-20 標簽:MOSFET 1825 0
Buck-Boost轉換器是一種電力轉換裝置,能夠改變直流電壓的數值,實現升降壓的功能。其工作原理基于周期性的開關操作,通過控制開關元件的通斷狀態來實現...
2024-10-12 標簽:轉換器MOSFETBuck-Boost 1825 0
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比,SiC具有許多優勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現器件結構所需的更廣泛的p型...
應用手冊 | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解
為滿足電動汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化,可以滿足電動汽車應...
在電子電路設計中,MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開關、低導通電阻、低驅動功耗等優點。然而,如果MOSFE...
納芯微單通道智能隔離式柵極驅動器NSi68515,專為驅動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設計
承受現代IGBT/MOSFET柵極驅動器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅動器電氣過應力測試(EOS測試),設置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
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