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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:計算升壓穩(wěn)壓器的最大輸出電流
了解升壓轉(zhuǎn)換器的第一件事是,平均電感電流并不等于輸出電流,后者處于降壓轉(zhuǎn)換器中。升壓調(diào)節(jié)器仍將控制電感電流,但是代表轉(zhuǎn)換器的輸入電流,而非輸出電流。由此...
2023-04-11 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1882 0
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案
在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫...
造成EMI問題的輻射源有兩類:交變電場(高阻),交變磁場(低阻)。非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器具有阻抗很低的節(jié)點和環(huán)路(遠低于自由空間的阻抗377Ω,此值為...
2023-11-17 標簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 1878 0
在離線應用中采用UCC28056來優(yōu)化效率和待機功耗
隨著產(chǎn)品法規(guī)持續(xù)要求在這些關鍵領域提高性能,效率和待機功耗已成為離線應用中關注的重點。這種關注需要采用復雜的功率策略以滿足這些要求,例如在低功耗模式下關...
2023-03-30 標簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1875 0
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應
設計電源時,工程師常常會關注與MOSFET導通損耗有關的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導電模式(DCM)下工作時,若選...
2020-01-13 標簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 1871 0
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
mosfet主要參數(shù)有哪些(mosfet參數(shù)詳解)
MOSFET處于導通狀態(tài)下的阻抗。導通阻抗越大,則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此,要盡量減小MOSFET的導通阻抗。
DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)...
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術保護嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對網(wǎng)絡攻擊的強大保護,當實現(xiàn)加密功能的芯片使用時,物理不可克隆功能(PUF)技術可以進一步增強該級別的保護。本應用筆記討論了一種...
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)設計
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
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