完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5371個(gè) 瀏覽:218265次 帖子:1130個(gè)
EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量,如果電壓過(guò)沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過(guò)擊穿電壓,則器件不會(huì)發(fā)生雪崩 擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力...
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體無(wú)刷電機(jī) 4351 0
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè),或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4347 0
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計(jì)
電子負(fù)載,線性穩(wěn)壓器或A類放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,這需要高功耗能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)特性。這種工作模式...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 4334 0
車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對(duì)比
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
半橋驅(qū)動(dòng)器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動(dòng)器,主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對(duì)半橋驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)解析,包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。
2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 4332 0
使用MOSFET和額外的肖特基二極管的電路設(shè)計(jì)可最大限度地減少干擾
在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低邊開關(guān)的架構(gòu)相...
2020-11-09 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 4318 1
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
丙類放大器通過(guò)在不同的輸入信號(hào)振幅下在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的高效放大。
ZETA升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個(gè)反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個(gè)ZETA轉(zhuǎn)換器具有一個(gè)單個(gè)MOSFET (S1) 和一個(gè)單個(gè)二極管D1 (S2),ZETA轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-08 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4311 0
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件,且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器逆變器 4310 0
探析在ON狀態(tài)下的MOSFET和三極管有何區(qū)別
本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下,MOSFET和三極管的區(qū)別。并對(duì)其中的一些細(xì)節(jié)進(jìn)行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過(guò)本篇文章之后能對(duì)著兩種晶體管在ON...
按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
基于MOSFET和IGBT器件在電機(jī)控制應(yīng)用中的選擇
長(zhǎng)期以來(lái),發(fā)動(dòng)機(jī)控制一直處于研究和開發(fā)活動(dòng)的前沿,其目標(biāo)是在兩個(gè)層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個(gè)是計(jì)算軟件,另一個(gè)是可以在微電子層次集成的電力...
2020-01-30 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)機(jī)igbt 4287 0
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
LED照明較其他照明產(chǎn)品具有綠色、節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),隨著整體成本降低,LED照明開始廣泛使用在商業(yè)、家庭等領(lǐng)域。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |