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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
影響線性模式下溝槽MOSFET器件熱不穩(wěn)定性條件的因素分析
多年來,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已取得了令人矚目的成果。當(dāng)今的設(shè)備具有顯著改善的性能,特別是在降低漏源導(dǎo)通狀態(tài)電阻,降低柵極電荷和提高開關(guān)速度方面。整個(gè)系統(tǒng)的低...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體技術(shù) 4577 0
模擬開關(guān)和多路復(fù)用器基礎(chǔ)參數(shù)介紹
在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,模擬開關(guān)和多路復(fù)用器有著非常廣泛的應(yīng)用,例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)采集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的功能很簡(jiǎn)單,但是仍然有很多細(xì)...
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快,對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
高功率電動(dòng)機(jī)各種元件所面臨的挑戰(zhàn)
對(duì)于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動(dòng)機(jī)的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式。
2019-01-04 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)機(jī)GaN 4566 0
5G射頻PA的Load-line與Load-pull背后的知識(shí)
說到射頻PA(Power Amplifier,功率放大器)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,有兩個(gè)名詞經(jīng)常被大家提及:Load-line與Load-pull。
在高頻率下切換高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的利弊分析
為了解釋這些權(quán)衡,德州儀器工程師建造了三個(gè)獨(dú)立的電源,每個(gè)電源的開關(guān)頻率分別為100,300和750 kHz。如應(yīng)用筆記“設(shè)計(jì)高頻,高輸入電壓DC/DC...
2019-01-28 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器mosfet 4547 0
基極電壓升高時(shí),BJT的基極電流開始流動(dòng),集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動(dòng)。這個(gè)電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓(VBE)。
電源驅(qū)動(dòng)ic的作用是什么 電源IC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖
電源驅(qū)動(dòng)IC的作用是提供對(duì)電源開關(guān)器件的精確控制,同時(shí)保護(hù)電源和提供反饋控制功能,幫助實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電源系統(tǒng)。
使用H橋電路來驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方案介紹
在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路示例中,可以通過線性控制高邊Pch MOSFET來更改OUT引腳的H電壓,從而控制施加到電機(jī)的電壓。
2021-03-11 標(biāo)簽:反饋電路MOSFET運(yùn)算放大器 4515 0
主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí),但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時(shí)候還是一臉懵,有些參數(shù)好像是未曾相識(shí),所以就有了現(xiàn)在的這個(gè)補(bǔ)充內(nèi)容,話不多說正式開始。
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減
更高系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的,半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體...
2014-03-25 標(biāo)簽:MOSFET快捷半導(dǎo)體柵極屏蔽 4504 0
英飛凌CoolSiC? MOSFET滿足高性能三相逆變焊機(jī)的設(shè)計(jì)需求
在220V單相家用便攜式焊機(jī)應(yīng)用中,大部分設(shè)計(jì)是使用650V IGBT單管制作逆變電源,開關(guān)頻率最高可以到50kHz,如果采用軟開關(guān)技術(shù),開關(guān)頻率還能更...
關(guān)于mosfet前驅(qū)電路搭建的視頻教學(xué)
我們之前說到MOSFET前級(jí)電路是一個(gè)高壓電路,220V整流之后變成的一個(gè)310V的電壓。對(duì)于這樣的電來說,原本OFF的狀態(tài)下,電壓應(yīng)該是310V,MO...
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4497 0
對(duì)于三極管開關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時(shí)間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時(shí)間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...
2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路MOSFET 4495 0
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4492 0
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
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