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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET管柵極為什么放置一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻
在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問(wèn)題”(點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文),對(duì)...
2022-07-25 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOSFET柵極 4027 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)?
眾所周知,我們使用的大部分電子元件都是直流環(huán)境且電源正接下工作的,但是一旦電源出現(xiàn)反接的情況就有可能損壞電子元件,使其不能正常工作。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4021 0
在LLC拓?fù)渲校x擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么
在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下,提高電子設(shè)備的能效,取得高性能同時(shí)降低能耗,成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢(shì),世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)...
大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案
本文介紹一種大屏電視等大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案。它能突破電壓模式控制的諸多限制,具有更瞬速的動(dòng)態(tài)反應(yīng),可顯著實(shí)現(xiàn)輕載和滿載時(shí)的高能效及超低待機(jī)能耗。
2016-01-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4008 0
今天的文章簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管,如下是本文目錄。
2023-01-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3997 0
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管TTL電平 3995 0
IGBT的開關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
反激變換器常用于進(jìn)行AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式電源,尤其是中低功率范圍(約2W至100W)的電源。在這個(gè)功率范圍內(nèi),反激變換器在尺寸、成本和效...
一般情況下,技術(shù)規(guī)格書的標(biāo)準(zhǔn)值(即IC參數(shù)的值)中,包括最小值、典型值、最大值。有些參數(shù)只有最小值或最大值,或只有典型值,并非所有的參數(shù)都具備這三種值。
在雙MOS管Buck電路中,有兩個(gè)MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個(gè)MOSFET管與電源相連,另一個(gè)MOSFET管與負(fù)載相...
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。
電壓轉(zhuǎn)電流電路的工作原理與設(shè)計(jì)示例
電壓轉(zhuǎn)電流的電路常見于工業(yè)場(chǎng)合,接下來(lái)介紹其工作原理與設(shè)計(jì)示例。
2023-05-01 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器運(yùn)放 3956 0
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享,接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析
在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中,工頻變壓器是實(shí)現(xiàn)電能分配和電壓等級(jí)變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組,常采用油浸式或者干式,具有可靠性高,效...
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)特性 3945 0
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù),如圖1...
車身控制模塊設(shè)計(jì)的要求及不同方案的優(yōu)劣勢(shì)分析
隨著人們對(duì)汽車的操控性及舒適性需求不斷升高,汽車車身中的電子設(shè)備越來(lái)越多,如電動(dòng)后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級(jí)功能等。
2021-04-06 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 3941 0
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