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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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別被低頻噪聲嚇到,使用 4200A-SCS 參數分析儀測量1/f 電流噪聲
在測量設置中,噪聲來自不同的來源,其中之一是測量儀器本身。為提取被測器件 (DUT) 的噪聲特點,儀器噪聲必須小于 DUT 噪聲。
思睿達TT6267SK測試報告 良好EMI特性 低功耗 方便散熱
1、樣機介紹 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的工程樣機,控制IC采用了本公司的TT6267SK。 TT6267SK...
如何將CoolMOS應用于連續(xù)導通模式的圖騰柱功率因數校正電路
為了實現在圖騰柱PFC使用常見的開關器件,本文介紹預充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導體,此方案的功率半導體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
首款國產1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“,可提升電源效率4%!
工業(yè)三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統,其母線電壓通常高于600V,母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,S...
思睿達主推EMI特性良好的CR6889B與XX8267是否可相互替換?對比測試報告
SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關; ● 內置軟啟動,減小MOSFET 的應力,斜坡補償電路; ● 65kHz 開關頻率,具有頻...
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機測試 思睿達TT5565SG+TT3006方案
01、樣機介紹 該 測試 報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機,控制IC采用了思睿達的TT5565SG...
邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實現輕松布線,甚至允許使用兩層基板,包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動”到位
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設計過程中的局限性
一些功率半導體器件設計為在有限時間內承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設備物理、設計和制造。
ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以...
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