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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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超結(jié)MOS/IGBT在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用
功率器件在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用,雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線(xiàn)路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)...
三峽云南能投麗江綠氫零碳工廠(chǎng)產(chǎn)出高純氫
此工廠(chǎng)覆蓋土地面積61.76畝,主打安裝1套1000Nm3/h堿性電解水制氫設(shè)備,年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)到788噸。初步預(yù)留生產(chǎn)線(xiàn)位置,以備未來(lái)擴(kuò)建需求。新型制氫...
國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段
在中國(guó),為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施,在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正...
新能源汽車(chē)推波 英飛凌競(jìng)逐新商機(jī)
英飛凌高級(jí)總監(jiān)徐輝表示,英飛凌進(jìn)一步豐富了自己的汽車(chē)電子產(chǎn)品線(xiàn),滲入各個(gè)細(xì)分市場(chǎng),形成了最為全面的新能源產(chǎn)品和解決方案。
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵組件。MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是兩種廣泛使用...
對(duì)于加快工作進(jìn)度,君芯IGBT柵極電阻Rg的選型
因?yàn)殡娐分斜厝淮嬖陔s散電感,所以減小Rg 時(shí)必須考慮di/dt 所產(chǎn)生的影響,過(guò)高的di/dt 除了會(huì)在IGBT 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)大的峰值電壓以致于產(chǎn)存在過(guò)...
IGBT全球缺貨成香餑餑,對(duì)從業(yè)者來(lái)說(shuō)是紅利期到了嗎?
IGBT技術(shù)路線(xiàn)、發(fā)展機(jī)遇詳解
2023-03-28 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1748 0
IGBT的保護(hù)措施,主要包括過(guò)壓保護(hù)和過(guò)流保護(hù)兩類(lèi)。使用中,對(duì)于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)浪涌電壓,可以采用適
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 1745 0
在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。
2023-08-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT碳化硅 1741 0
功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商芯長(zhǎng)征開(kāi)啟上市輔導(dǎo)
江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“芯長(zhǎng)征”)正式啟動(dòng)A股IPO進(jìn)程,并已向證監(jiān)會(huì)提交上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。該公司是一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有領(lǐng)先...
2024-02-27 標(biāo)簽:IGBTipo功率半導(dǎo)體 1736 0
看導(dǎo)熱材料如何助力新能源汽車(chē)IGBT散熱
近期,比亞迪推出了全新的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT 4.0,為我國(guó)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的彎道超車(chē),提供強(qiáng)大的中國(guó)芯,標(biāo)志著中國(guó)在IGBT技術(shù)上實(shí)現(xiàn)零的突破,打破了國(guó)際巨頭的技術(shù)...
新品 | 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 S7
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7,TO-247封裝分立器件,可快速、方便地替換...
IGBT高壓變頻調(diào)速電源 Power Supply(PS) of IGBT High- voltage Frequency Conversion Go...
2009-07-11 標(biāo)簽:IGBT 1721 0
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū),相應(yīng)的電極稱(chēng)為發(fā)射極(Emitter)。背面 P+ 區(qū)域定義...
廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線(xiàn) 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬(wàn)只
新的一年,許多碳化硅企業(yè)紛紛開(kāi)工,龍騰虎躍開(kāi)新篇!廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開(kāi)足馬力忙生產(chǎn),全年產(chǎn)量或達(dá)80萬(wàn)只。
華潤(rùn)微電子開(kāi)發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IG...
2011-03-31 標(biāo)簽:IGBT華潤(rùn)微電子工藝平臺(tái) 1709 0
貞光科技代理品牌—深圳威兆半導(dǎo)體\IGBT\模塊\MOSFET
各位“貞”朋友好,今日推薦貞光科技代理品牌,優(yōu)秀原廠(chǎng)—深圳威兆半導(dǎo)體,貞光科技主要代理威兆半導(dǎo)體的MOSFET / IGBT單管和模塊等產(chǎn)品。
2022-08-05 標(biāo)簽:IGBT威兆半導(dǎo)體 1708 0
東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。
士蘭微電子推出高性能汽車(chē)驅(qū)動(dòng)模塊—600A/1200V IGBT模塊
隨著人們對(duì)環(huán)保意識(shí)的提高和汽車(chē)駕駛體驗(yàn)感的不斷追求,新能源汽車(chē)的市場(chǎng)需求逐漸增大,已然成為汽車(chē)發(fā)展的大趨勢(shì),但是新能源汽車(chē)充電時(shí)間長(zhǎng)、續(xù)航里程短等問(wèn)題仍...
2023-06-20 標(biāo)簽:士蘭微電子IGBT驅(qū)動(dòng)模塊 1703 0
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