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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IR推超高速I(mǎi)GBT 為感應(yīng)加熱和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用作出優(yōu)化
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝...
瑞薩電子推出業(yè)界領(lǐng)先的低功耗 IGBT,可提高空調(diào)運(yùn)行效率
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723)今日宣布推出用于空調(diào)功率系數(shù)校正(PFC)電路的新型功率半導(dǎo)體器件,可廣泛用于中低端空...
功率器件IGBT及國(guó)內(nèi)外IGBT企業(yè)
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...
新能源汽車(chē)的“最強(qiáng)大腦”IGBT“究竟有什么用
來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 目前,新能源汽車(chē)越來(lái)越普遍,對(duì)比常規(guī)汽車(chē)的三大件,新能源汽車(chē)也有電池、電控、電機(jī)這三大件,可新能源汽車(chē)只看這三大件還不行,還必須...
2022-12-08 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT 1858 0
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì),SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? ? ? ??金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
東風(fēng)汽車(chē)2022銷(xiāo)量新亮點(diǎn):自主、新能源、海外出口
? 所有的奮斗終將閃耀 剛剛過(guò)去的2022 東風(fēng) 提升核心能力,促進(jìn)轉(zhuǎn)型升級(jí) 加快建設(shè)卓越科技企業(yè) 尤其在自主乘用車(chē)品牌、新能源 以及海外出口等方面 書(shū)...
2023-01-06 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)電動(dòng)車(chē)IGBT 1842 0
IGBT主動(dòng)散熱和被動(dòng)散熱 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
摘要:隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT)向高功率和高集成度方向發(fā)展,在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn),熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出,對(duì)散熱的要求越來(lái)越高,IGBT芯片是產(chǎn)...
IGBT高壓開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說(shuō)明
IGBT高壓開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說(shuō)明 IGBT是一種高壓開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。在本文中,我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)...
GA系列IGBT半橋、高端開(kāi)關(guān)和低端開(kāi)關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
GA系列IGBT半橋、高端開(kāi)關(guān)和低端開(kāi)關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
2010-02-18 標(biāo)簽:IGBT 1833 0
適用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)的可靠電力電子設(shè)計(jì)
在兆瓦級(jí),大功率電力電子應(yīng)用中需要大容量的半導(dǎo)體器件。然而,對(duì)于某些應(yīng)用來(lái)說(shuō),即使是目前可以得到的最大半導(dǎo)體器件容量也不夠大。因此需要將它們并聯(lián)。在傳統(tǒng)...
2011-10-11 標(biāo)簽:變壓器IGBT風(fēng)力發(fā)電機(jī) 1832 0
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用
電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)密切相關(guān)。
2023-12-24 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)IGBTSiC 1828 0
事實(shí)上IGBT的結(jié)構(gòu)與MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+層,“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的...
據(jù)媒體報(bào)道,在整條產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能吃緊的情況下,半導(dǎo)體晶圓制造、封裝、元器件等多個(gè)環(huán)節(jié)紛紛開(kāi)始漲價(jià)。瑞薩、恩智浦等元器件大廠均發(fā)布了漲價(jià)函,目前缺貨嚴(yán)重,明年...
根據(jù)這幾年IGBT領(lǐng)域龍頭廠商英飛凌的交期及訂單看,其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過(guò)420億歐元,排單交期基本超一年以上,最...
2023-07-13 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)mcuIGBT 1826 0
據(jù)報(bào)導(dǎo),日前,比亞迪股份公告表示,公司董事會(huì)審議通過(guò)《關(guān)于擬籌劃控股子公司分拆上市議案》,同意公司控股子公司比亞迪半導(dǎo)體籌劃擬分拆及于中國(guó)境內(nèi)一家證券交...
2021-01-06 標(biāo)簽:IGBT新能源車(chē)場(chǎng)效晶體管 1825 0
IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (I...
國(guó)產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無(wú)錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱(chēng)號(hào)
近日,無(wú)錫新潔能榮獲重要客戶(hù)寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱(chēng)號(hào)。 在過(guò)去的一年中,新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量、先進(jìn)的產(chǎn)品技術(shù)水平、穩(wěn)定的產(chǎn)能和交付周期與寧波德...
2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇》
第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。
2021-10-11 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)IGBT 1816 0
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