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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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杭州士蘭集成電路有限公司是由杭州士蘭微電子股份有限公司(滬市600460)出資設立的專業從事硅集成電路和分立器件的制造企業,與母公司士蘭微電子有限公司一...
由中國電器工業協會電力電子分會組織的“中國中車完全自主知識產權6500V大功率IGBT芯片與模塊產品鑒定暨發布會”在西安召開,經專家組評議一致認為:由上...
英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續流二極管,具有很低的開...
華太針推出高速 1200V FS IGBT與高、中、低速650V Super IGBT
IGBT是光伏逆變器核心功率器件,光伏逆變器是光伏發電的核心設備,其主要功能為將太陽電池組件產生的直流電轉化為交流電,并入電網或供負載使用。
一輛汽車需要的芯片種類至少有40種,主要可分為功能芯片、功率半導體和傳感器,包括自動駕駛AI芯片、MCU、IGBT功率器件以及用于自動駕駛感知系統的一系列芯片。
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團隊緊張而期待。由他們設計的一款IGBT芯片,在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工...
翠展微宣布完成近億元A輪融資 用于新建車規級IGBT模塊產線
2022年9,翠展微對外宣布完成近億元A輪融資,本輪融資由辰峰資本領投,天龍電子和重元納星戰略投資。本輪募集的資金將用于新建2~3條車規級IGBT模塊產...
據中國半導體行業協會的相關人士透露,有關促進集成電路發展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進行部際協調。上證報資訊獲悉,政策扶持的重點將主要集中于集成電路...
1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針...
上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實現單機2MW儲能變流器
英飛凌的TRENCHSTOPIGBT7,作為新一代IGBT技術的璀璨明珠,是大功率儲能變流器PCS技術升級的推動力,它進一步提高了逆變器效率和功率密度。...
ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發。
報告期內,華虹半導體產品毛利率為30.3%,較上年度下降3.1個百分點,主要由于產能利用率的下降、人工費用、原材料單位成本及折舊成本的上升,部分被平均銷...
Vishay新款IGBT模塊為太陽能逆變器和UPS提供集成方案
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率
由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
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