美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
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瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用
2012-11-17 10:40:171505 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得
2012-07-25 09:49:08
、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機(jī)等領(lǐng)域；針對(duì)中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均
2023-10-16 11:00:14
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
Through)技術(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT的大功率化。IGBT只比IGBT模塊來(lái)構(gòu)成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻(CVCF)逆變器。IGBT模塊的電壓等級(jí)范圍為1200V～6500V。 2.1
2012-06-01 11:04:33
電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
SDB—IGBT特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)，三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù)，在IC生產(chǎn)線
2012-03-19 15:16:42
，Infineon的減薄技術(shù)世界第一，它的厚度在1200V的時(shí)候可以降低到120um~140um(NPT-IGBT需要200um)，甚至在600V可以降低到70um。5)第五代：FS-IGBT和第六代
2020-08-09 07:53:55
`我需要通過(guò)LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
大家好，我畢設(shè)遇到一個(gè)問(wèn)題想問(wèn)一下大家：用HCPL3120驅(qū)動(dòng)IGBT，但是手冊(cè)上面說(shuō)只能驅(qū)動(dòng)1200V/100A的IGBT，我不明白為什么用電壓驅(qū)動(dòng)IGBT，怎么還與IGBT電流有關(guān)，我現(xiàn)在的IGBT要260A電壓1100V，用什么芯片能驅(qū)動(dòng)？
2013-03-22 15:19:08
無(wú)刷直流電機(jī)的三相全橋逆變開(kāi)關(guān)管IGBT的驅(qū)動(dòng)芯片有及推薦的驅(qū)動(dòng)電路
2016-12-03 15:41:23
（UPS），全半橋拓?fù)浜椭行渣c(diǎn)鉗位拓?fù)洹Ｋ梢灾С中枰?b class="flag-6" style="color: red">1200V解決方案的客戶，并從TO-247-4L封裝所提供的減少Eon開(kāi)關(guān)損耗中獲益。 安森美半導(dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II
2020-07-07 08:40:25
的RGTH00TS65。理由如下: RGTH00TS65的集電極-發(fā)射極電壓為650V，在25℃時(shí)的集電極輸出電流可達(dá)85A，100℃時(shí)為50A，由于汽車(chē)電機(jī)經(jīng)常高速旋轉(zhuǎn)，為了降低成本，低速電動(dòng)汽車(chē)一般使用風(fēng)冷法降溫
2019-04-12 05:40:10
;*輸入輸出電平與TTL電平兼容，適合于單片機(jī)控制:*內(nèi)部有定時(shí)邏輯短路保護(hù)電路,同時(shí)具有廷時(shí)保護(hù)特性;*具有可靠通斷措施(采用雙電源).*驅(qū)動(dòng)功率大,可以驅(qū)動(dòng)400A/1200V或600A/600V的IGBT模塊;*應(yīng)用于：汽車(chē)充電樁，電焊機(jī)，電機(jī)，`
2017-07-14 09:48:45
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
，RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管具有開(kāi)關(guān)充放電時(shí)間短、損耗極少、切換過(guò)程中的產(chǎn)熱少、能量利用率高、開(kāi)關(guān)切換速度快和切換速度高的優(yōu)點(diǎn)，可用于需要高速切換的應(yīng)用場(chǎng)合。 表2
2019-04-09 06:20:10
電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊）中的 ISO5852S 進(jìn)行性能評(píng)估。評(píng)估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 檢測(cè)的短路保護(hù)、軟關(guān)斷、在不同逆變器 dv
2018-12-27 11:41:40
生產(chǎn)線投入使用；（4）2015年10月，中車(chē)永電/上海先進(jìn)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的國(guó)內(nèi)首個(gè)具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6500V高鐵機(jī)車(chē)用IGBT芯片通過(guò)高鐵系統(tǒng)上車(chē)試驗(yàn)；（5）2016年5月，華潤(rùn)上華/華虹宏力基于6英寸
2021-03-22 19:45:34
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過(guò)渡到目前國(guó)際最新的溝槽柵場(chǎng)截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對(duì)焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對(duì)于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
生產(chǎn)成本，縮小封裝體積。目前RC IGBT已成為各大IGBT生產(chǎn)商的研發(fā)熱點(diǎn)。早期的RC IGBT中FRD的性能難以優(yōu)化，只有英飛凌推出小功率的1200V RC IGBT用于對(duì)FRD要求不高的電磁爐
2015-12-24 18:23:36
現(xiàn)有國(guó)產(chǎn)
IGBT免費(fèi)申請(qǐng)送樣，規(guī)格
1200V/25A，試用后只需提供試用報(bào)告即可。有需要的請(qǐng)與我聯(lián)系。
[email protected]2011-05-04 10:30:53
。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合。詳情見(jiàn)附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
通特性。 圖2.對(duì)于不同的ROUTREF值，使用恒流源驅(qū)動(dòng)器BM60059和1200V IGBT在空載時(shí)測(cè)量柵極電流和柵極電壓。 圖2顯示了三種不同R的柵極電流和柵極電壓波形奧特雷夫
2023-02-21 16:36:47
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
IGBT的輸入電容較MOSFET大，所以IGBT的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比MOSFET驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。圖1是一個(gè)典型的例子。在+20℃情況下，實(shí)測(cè)60 A，1200 V以下的IGBT開(kāi)通電壓閥值為5～6 V，在實(shí)際使用
2016-11-28 23:45:03
模塊長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無(wú)錫不限量收購(gòu)回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開(kāi)發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器，其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
放阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)功率小、耐電流大、開(kāi)關(guān)損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，它工作電壓等級(jí)大致有600V、900V、1200V等等級(jí)，有TO-220、TO-247、TO-264等封裝。 二、IGBT
2023-02-28 13:51:19
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
上海回收IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
邏輯短路保護(hù)電路,同時(shí)具有廷時(shí)保護(hù)特性;*具有可靠通斷措施(采用雙電源).*驅(qū)動(dòng)功率大,可以驅(qū)動(dòng)400A/1200V或600A/600V的IGBT模塊`
2017-06-30 14:04:23
。比如像第一種是焊接式IGBT模塊，這種模塊就是我們現(xiàn)在高鐵和動(dòng)車(chē)中用量最大的650伏600安的IGBT模塊，旁邊白色是工業(yè)控制比較多的，是中小功率的模塊封裝形式。第二組是我們專項(xiàng)中的合作公司中山
2012-09-17 19:22:20
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見(jiàn)的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
雙極晶體管(High Speed IGBT)已針對(duì)高頻率硬切換應(yīng)用優(yōu)化，因此，該零件為太陽(yáng)能應(yīng)用中功率模塊的理想選擇。 本文將說(shuō)明650伏特(V)IGBT3、650V IGBT4及650V高速
2018-10-10 16:55:17
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開(kāi)關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:11:03
IR針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
2011-03-31 09:23:061469 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:40994 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國(guó)慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓?xiě)?yīng)用于汽車(chē)中的高速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 驅(qū)動(dòng)IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:357 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門(mén)針對(duì)開(kāi)關(guān)頻率在15kHz以上的硬開(kāi)關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì)，可滿足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 / 650V IGBT和一個(gè)NTC熱敏電阻。Q2PACK模塊采用一個(gè)分立式NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一個(gè)NTC熱敏電阻。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)適用于更高的功率電平。
2019-03-14 06:12:004628 
意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:533363 ROHM新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418 據(jù)外媒報(bào)道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車(chē)用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開(kāi)關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501493 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947 廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。然而，FS-IGBT的核心技術(shù)都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國(guó)外大公司手里，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品基本都是由這些公司推出，國(guó)內(nèi)的IGBT
2019-12-19 17:59:0025 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解
2021-11-01 15:51:534122 是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)；低開(kāi)關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。
2022-07-14 09:27:501839 
是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)；低開(kāi)關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。
2022-07-28 09:27:241021 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539 
畢竟選擇一款650V、40A的IGBT，還能替代仙童FGH40N60SFD型號(hào)參數(shù)的國(guó)產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
2023-01-14 10:38:391253 IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。
2023-02-07 16:39:292949 
ROHM新開(kāi)發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào)，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開(kāi)關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性，并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:25724 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:07:02621 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:09749 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40559 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開(kāi)始全面量產(chǎn)用于電動(dòng)汽車(chē)PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59346 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19564
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