新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計，可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求。

1200V TRENCHSTOP?IGBT6發布了2個產品系列：優化導通損耗-S6系列和優化開關損耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 S6系列集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)1.85V，導通損耗低，并且擁有與H3系列相同的低開關損耗。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 H6系列則進一步優化開關損耗，相比于上一代H3系列，總開關損耗降低約15%。

超軟快恢復反并聯二極管經專門優化，可實現快速恢復，同時保持極軟恢復特性，保證了卓越的EMI性能。

正溫度系數有助于輕松可靠地實現器件并聯。優異的Rg可控性可根據應用要求調節IGBT開關速度。

IGBT6可實現更低VCE(sat)和更低開關損耗1)

關鍵特性

S6系列VCE(sat)1.85V，導通損耗低

可在開關頻率15–40kHz范圍內提供開關損耗和導通損耗的最佳折衷

優良的Rg可控性

低電磁干擾

堅固耐用的滿電流反并聯二極管

主要優勢

即插即用可替換上一代H3 IGBT

從H3更換為TO-247-3封裝S6，可將系統能效提高0.15%2)

從H3更換為TO-247PLUS 4引腳封裝S6，可將系統能效提高0.2%2)

2) 基于3相T型三電平逆變器實測值

TRENCHSTOP? IGBT6經專門設計，可輕松直接替換上一代的H3 IGBT。基于T型三電平逆變器的內部測試表明，將H3 IGBT更換為新的TO-247-3封裝IGBT6 S6后，系統能效可提升0.15%。將TO-247-3封裝H3 IGBT更換為TO-247PLUS 4引腳封裝IGBT6 S6后，系統能效提升0.20%。

新的1200 V TRENCHSTOP? IGBT6還包括業內獨一無二的、采用TO-247PLUS 3引腳封裝和更低開關損耗的TO-247PLUS 4引腳封裝、最大電流75A的單管IGBT。

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