意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術,可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產品。
新HB2系列屬于STPOWER?產品家族,更低(1.55V)的VCEsat飽和電壓確保導通性能極其出色;更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關,提高動態開關性能;出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。
HB2系列IGBT提供三個內部二極管選項:全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管,從而為開發者提供更多的自由設計權,根據特定應用需求優化動態性能。
新650V器件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市,采用TO-247長引腳封裝。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
335文章
28613瀏覽量
232700 -
意法半導體
+關注
關注
31文章
3238瀏覽量
109729 -
開關技術
+關注
關注
0文章
9瀏覽量
7512
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
意法半導體推出兩款四通道智能功率開關
意法半導體的IPS4140HQ和IPS4140HQ-1是兩款功能豐富的四通道智能功率開關,采用8mmx6mm緊湊封裝,每通道RDS(on)導
意法半導體推出新一代專有硅光技術
意法半導體(簡稱ST)推出了新一代專有硅光技術,為數據中心和AI集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著AI計算需求的指數級增長,計算、內存、
ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅M
發表于 01-22 10:43
高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選
意法半導體發布250W MasterGaN參考設計
為了推動氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升,意法半導體近日推出了EVL250WMG1L參考設計。該設計基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)
森國科推出650V/60A IGBT
森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起
意法半導體加入RISC-V公司Quintauris GmbH
歐洲領先的芯片制造商意法半導體(STMicroelectronics NV)近日宣布了一項重要戰略舉措,正式成為RISC-V合資公司Quintauris GmbH的第六大股東。此舉標志
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產品,基于微溝槽場截止技術,可大幅提高器件的元胞結構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區設計,大幅度

新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F
新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封

評論