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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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Diodes推出專為IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器
Diodes公司推出專為開關高功率IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的...
2011-07-06 標簽:DiodesIGBTZXGD3006E6 1578 0
絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值 絕對最大額定值是指在任何工作條件下,設備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數的界限值。IGB...
該項目計劃總投資4.63億元,主要圍繞新能源汽車自主IGBT領域開展技術研發和產業化應用,是華南地區首個新能源汽車自主IGBT投資項目。一期規劃產能為年...
比亞迪半導體PIM模塊通過多家頭部變頻與商用空調客戶可靠性認證
PIM產品作為IGBT產品大類的重要組成部分,是一種綜合集成功率器件,適用于變頻器及伺服領域。
今年初,斯達半導用連續22個漲停板引爆二級市場,同時也催熱了一級市場對IGBT廠商股權投資的熱度,比亞迪半導體在短短62天內獲得了紅杉資本、韓國SK集團...
三菱電機集團近日宣布,其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發布,該模塊具有30A的高額定電流,主要應用于家用電器逆變器系統。
PSG-06_V2.0采用4.3寸真彩色液晶觸摸屏,人機界面簡潔友好。便攜式設計,方便移動,操作簡單,方便工程師快速上手。
用方波驅動IGBT合適嗎? 方波是一個矩形波形,它具有快速上升和下降的邊沿。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率開關設備,常用于高電壓和高電流...
陸芯:IGBT模塊 LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半橋 用于ups 儲能 焊機等
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛,被認為是有可能實現換道超車的領域。
X-RAY檢測的最大優點是檢測結果直觀。圖像顯示IGBT軟件內部結構缺陷的自動識別和判斷。IGBT在生產過程中,不僅保證了產品的質量,而且在生產規劃階段...
盡管IGBT客戶和訂單規模在增長,但到下游晶圓代工廠的產能調節仍需要時間,晶圓代工廠的產能主要集中在訂單規模大且穩定的消費電子產品上。短期內,IGBT的...
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