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融資2億!這家SiC企業加快IPO進程

行家說三代半 ? 來源:行家說三代半 ? 2024-03-14 11:39 ? 次閱讀

前不久,SiC晶錠襯底企業博雅新材公布IPO進度,近日,該公司完成了2億元融資,加快IPO進程。

據“行家說三代半”梳理,除了博雅外,芯長征等4家SiC相關企業也披露了IPO進度,迄今為止,國內沖刺IPO的SiC相關企業已有15家

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來源:行家說《季度內參--第三代半導體新能源汽車24Q1》

博雅新材:

融資近2億,沖刺IPO

3月8日,贛州中科創投宣布他們在年初完成了對博雅新材的Pre-IPO輪融資并順利交割。本輪融資規模將近2億,由中平資本領投,多家資本跟進。值得關注的是,博雅新材在2022年還完成了逾4億元D輪融資。

根據“行家說三代半”此前報道,2023年8月,博雅新材在四川證監局進行上市輔導備案登記,擬首次公開發行股票并在A股上市,輔導券商為中信建投證券,目前正在進行上市輔導。

官網介紹,博雅新材成立于2016年12月,主營業務包括SiC晶體/襯底、激光晶體、閃爍晶體等產品的研發生產。目前,他們有2條SiC長晶技術路線:PVT法和液相法,前者已基本實現6英寸N型4H-SiC單晶小批量生產和襯底片加工,后者實現了2英寸無包裹物SiC晶體材料的合成,有望向6吋快速擴大。

芯長征:

計劃年中進行輔導考試

2月5日,中金公司發布了《關于江蘇芯長征微電子集團股份有限公司首次公開發行股票并上市輔導備案報告》,向江蘇證監局提出輔導備案申請。

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據悉,1月22日,芯長征與中金公司簽署了輔導協議,計劃輔導工作分兩期進行,其中1-3月進行股份有限公司法人治理結構的完善與運行, 4-5月學習上市公司信息披露管理制度,準備輔導考試。

據“行家說三代半”此前報道,芯長征成立于2017年,是一家集新型功率半導體器件設計研發與封裝制造為一體的企業,各類MOS、IGBTSiC系列產品均已獲得客戶認可,實現批量出貨,并于2023年1月完成數億元D輪融資。

邑文科技

已完成輔導備案

1日29日,據中國證監會信息,邑文科技已在江蘇證監局完成輔導備案登記,輔導機構為海通證券。

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據“行家說三代半”此前報道,2024年1月,邑文科技宣布完成超5億元D輪融資,由中金資本旗下中金佳泰基金、海通新能源領投,揚州正為、洪泰基金、西安常青、千曦資本等聯合投資。

官網資料透露,邑文科技主要生產刻蝕工藝設備和薄膜沉積工藝設備,應用于半導體(IC及OSD)前道工藝階段,特別是SiC、GaN、GaAs等化合物半導體和MEMS等特色工藝領域,得到了比亞迪半導體、士蘭微、三安光電、中電科等多家下游龍頭企業及科研院所的認可。

晶亦晶微:

IPO順利過會,擬募資13億

2月5日,上海證監會披露,晶亦精微的IPO申請已順利過會,擬在科創板注冊上市。

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“行家說三代半”注意到,2023年2月,晶亦精微就與中信證券簽署上市輔導協議,并在3月發布首次公開發行股票并上市輔導備案報告,從備案登記到順利過會,晶亦精微用時僅僅一年

據招股說明書(上會稿)等文件透露,目前晶亦精微主要從事SiC、GaN、硅等半導體設備的研發生產,主要產品為化學機械拋光(CMP)設備及其配件,已廣泛應用于中芯國際、境內客戶 A、世界先進、聯華電子等境內外先進集成電路制造商的規模化產線中。

此外,晶亦精微近期還推出了國產 6/8 英寸兼容 CMP設備,可用于包含SiC、氮化鎵等材料在內的特殊需求表面拋光處理工藝,截至 2023 年底,已向境內客戶 A 銷售 1 臺用于第三代半導體材料的 6/8 英寸兼容 CMP 設備。

本次發行募集資金扣除發行費用后,將投資于“高端半導體裝備研發項目”、“高端半導體裝備工藝提升及產業化項目”和“高端半導體裝備研發與制造中心建設項目”,擬使用募資資金合計12.9億,項目投資總額預計為13億。

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其中,“高端半導體裝備研發與制造中心建設項目”重點布局第三代半導體材料 CMP成套工藝及設備的開發,重點攻克SiC高效全局平坦化,實現研磨液循環利用系統、研磨液均勻分布系統等在研技術的產品化及產業化落地。

值得關注的是,2023年上半年,晶亦精微主營業務收入為3.09億元,其中8 英寸 CMP 設備銷量為25臺,6/8 英寸兼容 CMP 設備銷量為3臺,前五大客戶分別為:中芯國際、境外客戶 B、新為光微電子、中國電科集團、深星旭科技。

萊普科技:

今年6月完成上市輔導

3月4日,據中國證監會信息,成都萊普科技股份有限公司已經在四川證監局完成輔導備案登記,輔導機構為中信建投證券。

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文件透露,萊普科技計劃在今年6月完成輔導計劃,進行考核評估,做好首次公開發行股票申請文件的準備工作。

官網資料顯示,萊普科技成立于2003年,主營業務為半導體激光裝備研發制造,覆蓋晶圓制造、先進封裝及封裝測試和精密電子制造三大領域,旗下產品有SiC晶圓激光退火設備、IGBT晶圓激光退火設備等。

此外,2023年10月,萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發制造基地項目在成都高新區舉行奠基儀式,該項目總投資16.6億元,占地面積39畝,建筑面積6.5萬平米,主要建設內容包括企業全國總部、技術中心、制造中心、服務中心以及核心零部件研發及產業化基地,計劃于2026年5月全面達產。




審核編輯:劉清

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原文標題:融資2億!這家SiC企業沖刺IPO

文章出處:【微信號:SiC_GaN,微信公眾號:行家說三代半】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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