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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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上海貝嶺獲評(píng)2025中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)十大創(chuàng)新成果
上海貝嶺是國(guó)內(nèi)早期布局汽車發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火IGBT研發(fā)的企業(yè),整體方案成熟、多樣。如圖2所示,在預(yù)驅(qū)上,我們可以提供分立、集成等方案;在核心功率器件IGBT上...
2025-05-14 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)IGBT汽車芯片 630 0
什么是IGBT?IGBT的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)分別是什么?
IGBT(?Insulated Gate Bipolar Transistor?,絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,由?雙極型三極管(BJ...
SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開(kāi)啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái),基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過(guò)去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化...
揭秘推拉力測(cè)試機(jī):如何助力于IGBT功率模塊封裝測(cè)試?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)變頻等領(lǐng)域,其封裝可靠性直接影響模塊的性能和壽命。在封裝工藝中,焊接強(qiáng)度、引線鍵合...
聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)IGBT驅(qū)動(dòng)能效升級(jí)
隨著新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化、可再生能源的快速發(fā)展,IGBT的市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積極布局IGBT領(lǐng)域,迎接廣闊發(fā)展機(jī)遇,為未來(lái)增長(zhǎng)提供動(dòng)力。
新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊
新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7...
在光儲(chǔ)逆變器這一核心系統(tǒng)中,功率器件堪稱電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的“核心樞紐”,其性能表現(xiàn)直接決定了光儲(chǔ)系統(tǒng)的整體效能、運(yùn)行穩(wěn)定性以及經(jīng)濟(jì)性。隨著全球能源...
第二十一屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)于2025年4月23日至5月2日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦。作為全球汽車行業(yè)技術(shù)與市場(chǎng)的重要風(fēng)向標(biāo),本屆車展吸引了眾多行業(yè)巨...
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)...
技術(shù)驅(qū)動(dòng)未來(lái):2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅(qū)動(dòng)核深度解析
技術(shù)驅(qū)動(dòng)未來(lái):2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅(qū)動(dòng)核深度解析 在電力電子領(lǐng)域,IGBT驅(qū)動(dòng)器的性能直接決定了系統(tǒng)效率、可靠性與安全性?;景雽?dǎo)...
2025-05-03 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 245 0
為高壓應(yīng)用注入“強(qiáng)心劑” 1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動(dòng)器——高可靠性驅(qū)動(dòng)解決方案
為高壓應(yīng)用注入“強(qiáng)心劑”1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動(dòng)器——高可靠性驅(qū)動(dòng)解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)...
2025-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 182 0
英飛凌為電動(dòng)汽車推出“強(qiáng)力而節(jié)能”的IGBT和RC-IGBT器件
英飛凌科技股份公司推出新一代產(chǎn)品,以滿足市場(chǎng)對(duì)高壓車用IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求。 ? 這些產(chǎn)品包括專為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的EDT3(第三代...
2025-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌IGBT 295 0
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop...
4月,作為國(guó)內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表,飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國(guó)電子展(深圳)以及慕尼黑上海電子展,兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿落幕。
陸芯科技斬獲2024-2025電動(dòng)車領(lǐng)域功率半導(dǎo)體年度明星產(chǎn)品獎(jiǎng)
在剛剛落幕的CIAS 2025動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體大會(huì)上,陸芯科技憑借Hybrid-IGBT系列產(chǎn)品的卓越表現(xiàn),一舉摘得【2024-2025功率半導(dǎo)體年度...
2025-04-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 464 0
功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備T3ster:為電子設(shè)備可靠性保駕護(hù)航
庭田科技提供的T3ster采用國(guó)際領(lǐng)先的瞬態(tài)熱測(cè)試技術(shù),能夠精確模擬實(shí)際工作條件下的功率循環(huán)過(guò)程,捕捉元器件在快速溫度變化下的性能表現(xiàn),為產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供可...
2025-04-18 標(biāo)簽:IGBT功率循環(huán)測(cè)試 226 0
瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
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