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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC
緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)者一直追求的目標(biāo)。
良好的器件散熱依賴(lài)于優(yōu)化的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料選擇(熱界面材料與散熱基板)及封裝制造工藝等。
2023-06-04 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池IGBTLED封裝 1696 0
如果要縮短溶解時(shí)間,可以預(yù)先用物理方式去除部分表面的硅膠,但需要有較好的控制,以免對(duì)鍵合引線或者芯片造成損傷;如果是較小的模塊,不建議物理去除。
2023-06-10 標(biāo)簽:IGBT 5130 0
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
電力電子控制器PID參數(shù)的幾種調(diào)試方法
電力電子轉(zhuǎn)換器(Power Electronics Converter)指的是主要通過(guò)開(kāi)關(guān)器件和其他電路的組合將一種形式的電源轉(zhuǎn)化成另外一種形式的電源。
2023-06-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT電源適配器 3059 0
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸
淺談新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車(chē)用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利,產(chǎn)品性能...
2023-06-01 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 1142 0
600W戶(hù)外儲(chǔ)能電源電路的優(yōu)選元器件
600W戶(hù)外儲(chǔ)能電源選擇哪家好?相信這問(wèn)題是很多做小功率儲(chǔ)能電源廠家都會(huì)關(guān)注的問(wèn)題,畢竟這問(wèn)題答案影響著自身銷(xiāo)量。
淺談600W的高頻車(chē)載逆變器的IGBT應(yīng)用
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,但它是打造高品質(zhì)和高競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號(hào)的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)...
2023-05-31 標(biāo)簽:逆變器IGBT車(chē)載逆變器 811 0
600V、20A型號(hào)參數(shù),樹(shù)墻修剪機(jī)電機(jī)IGBT型號(hào)推薦FHF20T60A型號(hào)代換!
樹(shù)墻修剪機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路想在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT是非常重要的。市場(chǎng)中FHF20T60A的IGBT單管是優(yōu)質(zhì)代換NCE20TD60BF參...
2023-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電機(jī)IGBT 1437 0
功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET)在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用
電動(dòng)汽車(chē)的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上,怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出?
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET逆變器 2430 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說(shuō),在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
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