功率模塊在電動汽車內部工作時，是兩種模式；

一種是電動模式，電流從DC端的電池流向AC端的電機，電能轉化為機械能。

一種是發電模式，正好反過來，這個時候電動機就變成了發電機，電流從AC端的電機流向DC端的電池，機械能轉化為電能。

這兩種模式都需要用到IGBT/SiC MOSFET模塊，因為其核心電路是三相全橋逆變電路（發電時是整流電路）

前幾天討論的都是電動模式，今天討論下發電模式

這張圖把發電機和電動機分開了，實際上電動機完全可以作為發電機使用，因此，是可以共用一個電機和一個全橋模塊的。

好了，考慮下發電模式，那么電流肯定是從負載流向DC母線，也就是說，對于母線而言，發電機發出的電，經過整流流向電池，方向是從DC-到DC+。

既然是DC-流向DC+，那肯定是DC-的電位高，從圖中來看，電流走的是二極管。

那么此時，電路的主要能量損失是什么？顯然是電流I乘以壓降VF，也就是說，續流二極管（其實這時應該叫整流二極管）的壓降VF決定了整流電路的效率。

那么對于發電電路，IGBT和SiC MOSFET哪個效率更高呢？

簡單粗暴，直接上數據手冊對比：

上圖是比亞迪BG820 IGBT模塊的續流二極管VF，大約1.6V

上圖是比亞迪BM840 SiC MOSFET模塊的體二極管Vsd，是的，你沒看錯，4.6V。SiC MOSFET自帶的體二極管在IGBT模塊額外的反并聯二極管面前被爆成渣。

上篇我們提了，SiC MOSFET在電動車電動模式下效率非常高，然而今天在發電模式下的VF被Si IGBT暴打，難道SiC 模塊天然不適合電動汽車的能量回收嗎？

SiC 模塊呵呵一笑，哥還有個壓箱底的絕活，今天show給你們看看，電動模式下效率能碾壓IGBT，發電模式下效率也當仁不讓。

SiC MOSFET的絕活就是：第三象限導通（Third Quadrant）

看圖，如果在整流的時候把MOSFET打開，那么這個時候，MOSFET就可以看成一個電阻，此時，電流從Source流向Drain，而這個反向流動的Rsdon和Rdson是近似相同的（甚至在溝道完全開啟的情況下，由于體二極管的分流，阻抗比正向導通還要低！）

計算下，此時的Vsd≤Rdson乘以Id=2.7mΩ×360A=0.972V ！！！

而此時IGBT的壓降是1.4V！

也就是說，SiC MOSFET利用第三象限導通的特性，獲得了遠低于IGBT模塊的電壓損失，獲得了遠高于IGBT+FWD的整流效率。

why？要理解這個，就需要理解DMOS的結構：

我們看到，當DMOS完全開啟時，整個MOSFET的導通阻抗完全由圖中各部分決定，每個部分都呈現電阻特性，因此，你可以把完全開啟的MOSFET看成一個小電阻（Rdson=Rsource+Rchannel+Rjfet+Rdift+Rdrain），所以，其電壓降僅僅只是和電流相關，在小電流下，這個優勢是巨大的。

再來看二極管

由于內建電場的存在，即使在正向偏置的情況下，也會存在一個最小正向偏置電壓Vbi，也就是說，必須要越過這個電壓，才能形成電流，所以，二極管的輸出特性曲線，在小電流情況下特別吃虧，即使電流接近0，VF還是有那么多。

如圖，在電流接近0A的時候，MOSFET的VSD幾乎為0（Vsd≤I×Rdson），而二極管的VF則接近0.7V，

再看電流200A時，SiC MOSFET的Vsd小于Vds小于0.5V，而二極管的VF超過了1V。

只有電流到達600A時，二極管的VF才和SiC MOSFET的Vsd差不多。

對電動汽車而言，額定功率一般不超過200kW，哪怕配400V平臺，電流一般也不會超過600A，如果是800V平臺，電流都基本不會超過300A，也就是說，在電動汽車這個領域，SiC MOSFET的第三象限導通特性，對于二極管的VF特性，是完全碾壓的。