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hemt技術(shù)

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí)，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測(cè)試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 1720 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 1460 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 1375 0

用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測(cè)量反射的飛行時(shí)間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實(shí)世界的場(chǎng)景，可以收集三維信息以供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...

2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達(dá) 1193 0

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報(bào)告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng) GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 735 0

硅基氮化鎵是什么

硅上氮化鎵具有廣泛的未來應(yīng)用，擴(kuò)展了當(dāng)前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術(shù)可幫助設(shè)計(jì)人員提高工作電壓，并將頻率響應(yīng)從Ka波段推入E波段、...

2023-02-12 標(biāo)簽：頻率響應(yīng)HEMT 硅基氮化鎵 558 0

高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載

高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)...

2025-02-27 標(biāo)簽：測(cè)量 GaN HEMT 516 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 455 0

GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列，該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，助力...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN HEMT DFN封裝 446 0

GaN HEMT憑什么贏得市場(chǎng)青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 439 0

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 423 0

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè) 413 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè) 402 0

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...

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該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 399 0

BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaNHEMT和Si...

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BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè) 368 0

HMC772LC4低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè)

HMC772LC4 是一款 GaAs MMIC HEMT 低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為 2 至 12 GHz。該放大器提供 15 dB 增益、高達(dá) ...

2025-03-21 標(biāo)簽：放大器 GaAs HEMT 329 0

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加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說話人識(shí)別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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