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標簽 > hbm4

hbm4

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2025年4月,國際半導體行業標準組織JEDEC正式發布了新一代高帶寬內存標準HBM4。HBM4在帶寬、通道數、電源效率等方面進行了顯著改進,將為生成式AI、高性能計算(HPC)、高端顯卡和服務器等領域帶來革命性的變化。

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hbm4資訊

三星電子組建HBM4獨立團隊,力爭奪回HBM市場領導地位

具體而言,現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發,而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。

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2024-05-08 標簽:臺積電封裝技術存儲芯片 1077 0

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標簽:DRAMSK海力士HBM 882 0

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。

2024-04-23 標簽:DRAMSK海力士HBM 1111 0

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產HBM4

4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進 HBM4 研發和下一代封裝技術,目標在 2026 年投產 HBM4。 根據...

2024-04-20 標簽:臺積電SK海力士CoWoS 272 0

SK海力士與臺積電達成研發合作,推動HBM4和下一代封裝技術發展?

據協議內容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎裸片(Base Die)性能。HBM 由多個 DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎裸片之上,...

2024-04-19 標簽:DRAM封裝gpu 947 0

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TC-NCF是有凸塊的傳統多層DRAM間鍵合工藝,相比無凸塊的混合鍵合技術更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產的同層數HBM內存厚度會相應增加。

2024-04-19 標簽:DRAM三星半導體HBM 999 0

SK海力士與臺積電共同研發HBM4,預計2026年投產

自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將...

2024-04-19 標簽:臺積電SK海力士HBM 1021 0

SK海力士聯手臺積電推出HBM4,引領下一代DRAM創新

SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續引領HBM技術創新。通過整合...

2024-04-19 標簽:存儲器晶圓代工SK海力士 855 0

三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。...

2024-03-27 標簽:英偉達三星HBM3 1239 0

HBM4為何備受存儲行業關注?

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當前,生成式人工智能已經成為推動DRAM市場增長的關鍵因素,與處理器一起處理數據的HBM的需求也必將增長。未來,隨著AI技術不斷演進,HBM將成為數據中...

2023-12-02 標簽:DRAMgpu內存 812 0

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

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2023-11-27 標簽:芯片英偉達HBM 1365 0

三星正在開發HBM4 目標2025年供貨

Sangjun Hwang還表示:“正在準備開發出最適合高溫熱特性的非導電粘合膜(ncf)組裝技術和混合粘合劑(hcb)技術,并適用于hbm4產品。”

2023-10-11 標簽:存儲器封裝HBM 1069 0

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