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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強(qiáng)大成為 AI/ML 和其他高性能計(jì)算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。

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hbm3e資訊

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達(dá)H200

美國(guó)記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H20...

2024-02-28 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM3E 834 0

美光宣布開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存功耗比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品低30％

存儲(chǔ)三強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)更加激烈了。

2024-02-28 標(biāo)簽：DDR 美光 HBM 1175 0

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲(chǔ)芯片，存儲(chǔ)容量高達(dá)36

三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜（TC NCF）技術(shù)，成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。

2024-02-27 標(biāo)簽：芯片 HBM 三星 1454 0

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要...

2024-02-27 標(biāo)簽：amd 存儲(chǔ)器加速器 928 0

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HB...

2024-02-27 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存 HBM 1341 0

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM 三星電子存儲(chǔ)器 1031 0

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達(dá)1280GB/s，容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方...

2024-02-27 標(biāo)簽：三星電子 AI HBM 1219 0

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E，推動(dòng)人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM 美光 HBM 568 0

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版，2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶...

2024-02-25 標(biāo)簽：傳輸速率英偉達(dá)HBM3 916 0

SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達(dá)

近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation ...

2024-02-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器英偉達(dá)SK海力士 1199 0

AMD Instinct MI300新版將采用HBM3e內(nèi)存，競(jìng)爭(zhēng)英偉達(dá)B100

AMD于去年宣布旗下兩款I(lǐng)nstinct MI300加速器，包括基于GPU的MI300X以及基于APU架構(gòu)的MI300A， both配備192GB/12...

2024-02-23 標(biāo)簽：amd cpu 加速器 1302 0

價(jià)格暴漲500%，HBM3e市場(chǎng)徹底被引爆

內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。

2024-02-23 標(biāo)簽：DRAM DDR 內(nèi)存技術(shù) 1633 0

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)器

在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 SK海力士 1377 0

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲(chǔ)器，領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體英偉達(dá)SK海力士 1085 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個(gè)月大規(guī)模生產(chǎn)，專用于英偉達(dá)AI芯片

值得一提的是，半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個(gè)階段，而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個(gè)環(huán)節(jié)，正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿...

2024-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NVIDIA SK海力士 831 0

NVIDIA預(yù)購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存

1月2日消息，韓媒報(bào)道，NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預(yù)付款，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)了這筆款項(xiàng)在10....

2024-01-02 標(biāo)簽：NVIDIA SK海力士 HBM 769 0

英偉達(dá)大量訂購(gòu)HBM3E內(nèi)存，搶占市場(chǎng)先機(jī)

英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。

2023-12-29 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存英偉達(dá) 1248 0

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評(píng)價(jià)

美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM 美光英偉達(dá) 523 0

AI大模型不斷拉高上限，內(nèi)存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到來

自2012年以來，大規(guī)模的AI訓(xùn)練所使用的數(shù)據(jù)集的計(jì)算量以每年10倍的速度增長(zhǎng)。比如在2022年11月ChatGPT的版本參數(shù)是1750億個(gè)，今年3月的...

2023-12-13 標(biāo)簽：Rambus 內(nèi)存控制器 HBM3 1767 0

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 1129 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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