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半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后,每一步都?xì)v盡艱辛,傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后,又帶來(lái)了全新的GAA工藝;而5nm之后的時(shí)代,全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

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背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

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最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù),例如晶體管GAA(Gate All around)、背面供電以及3D IC。

2023-07-26 標(biāo)簽:DRAM晶體管NAND閃存 4345 0

Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào),GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游,半導(dǎo)體設(shè)備廠商的財(cái)報(bào)向來(lái)反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠們紛紛公布了今年...

2024-05-02 標(biāo)簽:應(yīng)用材料ASML季度財(cái)報(bào) 4258 0

2nm突圍,背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))對(duì)于任何試圖將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至埃米級(jí)的晶圓廠而言,GAA和背面供電似乎都成了逃不開的兩大技術(shù)。GAA和背面供電在滿足芯片性...

2024-06-14 標(biāo)簽:供電技術(shù)2nmGAA 4198 0

臺(tái)積電基于GAA技術(shù)的2nm制程將會(huì)在2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電2021 年12,000 種產(chǎn)品,其中采用了300 多種制程,這些都是生態(tài)系合作的結(jié)果,沒(méi)有生態(tài)系的支持,臺(tái)積電就沒(méi)辦法進(jìn)步。

2022-09-06 標(biāo)簽:臺(tái)積電芯片設(shè)計(jì)EUV 3637 0

臺(tái)積電3nm今年底投片,蘋果成第一家客戶!三星GAA和臺(tái)積電FinFET,誰(shuí)更有競(jìng)爭(zhēng)力?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)8月17日消息,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,今年底蘋果將是第一家采用臺(tái)積電3nm投片的客戶,首款產(chǎn)品可能是M2 Pro處理器,明年包括...

2022-08-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nmGAA 3325 0

3nm首發(fā),GAA能成為三星的救星嗎?

FinFET與傳統(tǒng)的平面晶體管MOSFET相比,顯著減少了短溝道效應(yīng),也成功帶領(lǐng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)跟著摩爾定律,從20nm走到了4nm、5nm的工藝節(jié)點(diǎn)上。...

2022-07-30 標(biāo)簽:3nmGAA 3112 0

美國(guó)從EDA下絆子,3nm工藝關(guān)鍵技術(shù)GAA將與中國(guó)無(wú)緣?

美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局在近日宣布,將四項(xiàng)新技術(shù)納入出口管制,包括兩大寬帶隙半導(dǎo)體材料(氧化鎵和金剛石)、開發(fā)GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路的ECAD軟件、以及生...

2022-08-17 標(biāo)簽:edaGAA 2997 0

三星3nm芯片開始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm...

2022-06-30 標(biāo)簽:芯片3nmGAA 2539 0

三星電子GAA制程工藝節(jié)點(diǎn)芯片開始初步生產(chǎn)

2022年6月30日,作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱 GAA)制程工藝節(jié)...

2022-06-30 標(biāo)簽:三星電子晶圓納米晶體管 2436 0

復(fù)旦教授成功實(shí)現(xiàn)3nm/5nmGAA晶體管

來(lái)自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息,該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對(duì)具有重大需求的3-5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù),驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管(...

2020-12-17 標(biāo)簽:晶體管3nmGAA 2059 0

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了,根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布,4D(GAA)架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開...

2022-06-30 標(biāo)簽:3nm2nmGAA 1791 0

三星在3nm率先使用GAA 是否更具競(jìng)爭(zhēng)力

而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3n...

2022-08-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nmGAA 1783 0

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

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半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止,但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。

2023-07-28 標(biāo)簽:PTFE半導(dǎo)體技術(shù)car 1694 0

GAA器件結(jié)構(gòu)工藝和挑戰(zhàn)

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中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-13 標(biāo)簽:集成電路光刻技術(shù)GAA 1627 0

傳美國(guó)將斷供GAA技術(shù)的EDA工具 國(guó)產(chǎn)EDA廠商受關(guān)注

有報(bào)道稱美國(guó)總統(tǒng)拜登將在當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月9日正式簽署“芯片法案”這一法案。美國(guó)這項(xiàng)芯片法案中還為相關(guān)企業(yè)提供了527億美元(約合3560億人民幣)的政府補(bǔ)貼...

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三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

2024-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1444 0

全環(huán)繞柵極晶體管將如何改變半導(dǎo)體行業(yè)

針對(duì)微芯片行業(yè)速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭(zhēng)奪戰(zhàn)在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈,這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)集成到其最先進(jìn)的節(jié)...

2022-12-19 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶體管 1359 0

IBM首發(fā)2nm芯片 采用GAA技術(shù)

去年5月,IBM成功制造出世界上首顆2nm制程的半導(dǎo)體芯片。

2022-07-05 標(biāo)簽:芯片IBM2nm 1356 0

Arm和三星電子將合作開發(fā)2nm制程

Arm和三星電子將合作開發(fā)2nm制程

與Arm擴(kuò)大合作是否會(huì)對(duì)三星電子的代工業(yè)務(wù)帶來(lái)提振,備受關(guān)注。

2024-02-21 標(biāo)簽:arm三星電子晶圓 1301 0

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